詳細(xì)摘要： 連續(xù)式HIT太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池HFCVD設(shè)備

詳細(xì)摘要： 太陽(yáng)能離子注入機(jī)功能太陽(yáng)能離子注入機(jī)用于太陽(yáng)能電池片的摻雜工藝，離子注入后形成電池片發(fā)電核心-PN結(jié)

詳細(xì)摘要： 一、設(shè)備用途本尾氣處理裝置主要用于擴(kuò)散爐與RIE（反應(yīng)等離子體刻蝕）、PECVD等設(shè)備的工藝廢氣的處理，達(dá)到直接排放大氣達(dá)到環(huán)保與安全排放的目的

詳細(xì)摘要： 一、設(shè)備用途：主要用于金屬殼體在N2、H2氣氛條件下的高溫釬焊、退火等高溫?zé)崽幚砉に?

詳細(xì)摘要： 一、設(shè)備用途高真空排氣臺(tái)運(yùn)用于磁控管管芯排氣工藝，是磁控管生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備，磁控管管芯抽真空至高真空（5.0*0-4Pa）通電，燈絲發(fā)熱后使得吸附在管芯內(nèi)的氣體進(jìn)...

詳細(xì)摘要： 一、設(shè)備用途真空碳化臺(tái)運(yùn)用于磁控管陰極燈絲碳化工藝，是磁控管生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備，本設(shè)備為單腔室反應(yīng)碳化爐，在真空潔凈條件下，對(duì)磁控管陰極通電，通入活性氣氛C6H6(...

詳細(xì)摘要： 高溫爐

詳細(xì)摘要： 設(shè)備特點(diǎn)：該設(shè)備加熱部分采用上下?tīng)t盤單獨(dú)控溫，壓力控制采用電機(jī)扭矩輸出和行程可調(diào)雙重控制，各部分控制模式均可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)/手動(dòng)模式

詳細(xì)摘要： 低能離子注入機(jī)一：概述低能離子注入機(jī)可以通過(guò)離子源產(chǎn)生超低能量的離子束，在經(jīng)過(guò)二極磁鐵偏轉(zhuǎn)之后，過(guò)濾掉不同荷質(zhì)比的離子，只留下所需的離子種類和能量的離子束可以穿...

詳細(xì)摘要： 感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)產(chǎn)品性能及特點(diǎn)◆設(shè)備穩(wěn)定可靠、工藝，主要用于半導(dǎo)體制造工藝中的介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕以及金屬刻蝕工藝,也能用于太陽(yáng)能電池片RIE工藝

詳細(xì)摘要： EB系列電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備產(chǎn)品介紹廣泛用于半導(dǎo)體、LED生產(chǎn)線批量生產(chǎn)，可滿足鋁、鈦、鉻、鉬、釩、鎳、銀、銦等金屬，ITO等氧化物在基片上均勻沉積薄膜的各類工藝...

詳細(xì)摘要： 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）產(chǎn)品介紹◆用工控機(jī)對(duì)工藝時(shí)間，溫度，氣體流量，閥門動(dòng)作，反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化控制

詳細(xì)摘要： 石墨烯、碳納米管材料CVD設(shè)備石墨烯、碳納米管材料納米材料CVD設(shè)備Graphene、Nano-materialsCVD產(chǎn)品介紹該設(shè)備主要用于石墨烯、納米材料工...

詳細(xì)摘要： 閉管軟著陸擴(kuò)散系統(tǒng)ClosedTubeSoftLandingDiffusionFurnace產(chǎn)品介紹ProductIntroduction◆閉管磷擴(kuò)散、硼擴(kuò)散，...

詳細(xì)摘要： 1、溫度范圍：150-1200℃

詳細(xì)摘要： 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（LPCVD）產(chǎn)品介紹LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜