詳細(xì)介紹
低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備(LPCVD)
產(chǎn)品介紹
LPCVD 是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大,故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。
設(shè)備主要特點(diǎn)
◆對工藝時間、溫度、氣體流量、閥門動作、反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)自動控制。
◆采用進(jìn)口壓力控制系統(tǒng),閉環(huán)控制,穩(wěn)定性強(qiáng)。
◆采用進(jìn)口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門,確保氣路氣密性。
◆具有完善的報(bào)警功能及安全互鎖裝置。
◆具有良好的人機(jī)界面,靈活的工藝性能。
主要技術(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品介紹
LPCVD 是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大,故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。
設(shè)備主要特點(diǎn)
◆對工藝時間、溫度、氣體流量、閥門動作、反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)自動控制。
◆采用進(jìn)口壓力控制系統(tǒng),閉環(huán)控制,穩(wěn)定性強(qiáng)。
◆采用進(jìn)口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門,確保氣路氣密性。
◆具有完善的報(bào)警功能及安全互鎖裝置。
◆具有良好的人機(jī)界面,靈活的工藝性能。
主要技術(shù)指標(biāo)
適用硅片尺寸 | 2-6'' |
工作溫度范圍 | 300-1000℃ |
恒溫長度及精度 | 800mm±1℃ |
溫度梯度 | 0-30℃可調(diào) |
系統(tǒng)極限真空度 | 0.5Pa |
工作壓力范圍 | 30Pa-260Pa可調(diào) |
淀積膜種類 | Si3N4、Poiy-Si、SiO2 |
淀積膜均勻性 | Poiy-Si 片內(nèi)<±3%,片間<±3%,批間<±3% |
淀積膜均勻性 | Sio2 片內(nèi)<±3%,片間<±3%,批間<±3% |
淀積膜均勻性 | Si3N4 片內(nèi)<±3%,片間<±3%,批間<±3% |