陜西天士立科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 熱阻測(cè)試儀_陜西天士立ST-HeatX_平替進(jìn)口。產(chǎn)品符合JESD 51-1、JESD 51-14標(biāo)準(zhǔn)，可輸出結(jié)構(gòu)函數(shù)，用于DIODE、IGBT、MOSFET、...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HeatX所在地：西安市更新時(shí)間：2024-07-19 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體熱特性熱阻抗測(cè)試儀系統(tǒng)_陜西天士立科技研發(fā)生產(chǎn)_平替T3Ster_Phase11熱特性測(cè)試儀。產(chǎn)品符合JESD 51-1、JESD 51-14標(biāo)準(zhǔn)，用于D...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HeatX所在地：西安市更新時(shí)間：2024-07-17 在線留言
詳細(xì)摘要： 1.Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOS-FET的FBSOA（正向偏置安全工作區(qū)）測(cè)試 2.FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線 3.ICE電流0...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-FBSOA_X所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA 短路電流/Isc：3000A...
產(chǎn)品型號(hào)：STA3500所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 適用于Si（選配 SiC , GaN）材料的單管級(jí)IGBTs, Diodes, MOSFETs，的動(dòng)態(tài)特性測(cè)試電壓源 1200V（選配 2000V）電流源 10...
產(chǎn)品型號(hào)：STA1200所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 1. 專注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè)，軟件程控，測(cè)試條件界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)3. 自動(dòng)...
產(chǎn)品型號(hào)：STA1200所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)線由上料機(jī)、模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備（包含預(yù)熱加熱系統(tǒng)、自動(dòng)化傳送系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、測(cè)試系統(tǒng)、模塊靜態(tài)測(cè)試設(shè)備、靜態(tài)測(cè)試、下料機(jī)等組成）
產(chǎn)品型號(hào)：TSLT-AL所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 1.用于大功率IGBT和Diode模塊的靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試。電壓10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV；電流10KA,5KA,2400A,1600A2.智能...
產(chǎn)品型號(hào)：STD6500所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/...
產(chǎn)品型號(hào)：STD2000所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 測(cè)試分析：功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試失效分析：失效器件測(cè)試，失效機(jī)理，設(shè)計(jì)方案改善 選型配對(duì)：器件焊接PCB之前測(cè)試，按器件一致性分類配對(duì)來(lái)料檢驗(yàn)：質(zhì)量部對(duì)...
產(chǎn)品型號(hào)：STD2000所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-OC1400光耦參數(shù)測(cè)試儀是一款布局緊湊、功能全面、界面友好、操作簡(jiǎn)潔的單機(jī)測(cè)試儀器。專為各類光耦參數(shù)測(cè)試而設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，可測(cè)試各類單通道、雙通道、多通道的模...
產(chǎn)品型號(hào)：STO1400所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 測(cè)試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode 測(cè)試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、IC...
產(chǎn)品型號(hào)：STD2002所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 測(cè)試種類：Diode、BJC、SCR、IGBT、MOSFET、JFET、三端穩(wěn)壓IC、基準(zhǔn)IC、 IV輸出：電壓MAX1600V，電流MAX2A 測(cè)試參數(shù)：耐壓...
產(chǎn)品型號(hào)：STD1600所在地：西安市更新時(shí)間：2024-04-29 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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