IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500
電氣配置
高壓源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV
高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/10KA
短路電流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50µs)
驅(qū)動(dòng)電壓/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V
Rg:0.5R、1R、2R、4R(支持手動(dòng)和自動(dòng)切換)
負(fù)載/L:10 50 150 500 1000 2000 uH
電流/I:6000 3000 1500 600 400 200 A
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500
測(cè)試條件
Vcc范圍:50-3300
VIC范圍:50-200A(雪崩條件)
IC范圍:50-1500A
L電感:10/50/150/5001000/2000uH
VGE(on/off):±30V(電壓可設(shè)置)
tp測(cè)試時(shí)間:10-1000us(自動(dòng)計(jì)算)
twsoff脈沖間隔:10-50us(可設(shè)置)
電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R(Qg條件)
IscMAX:6KA/10KA(SC條件)
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500
試驗(yàn)?zāi)芰?/span>
標(biāo)配,開關(guān)特性/Turn_ON/OFF_L
標(biāo)配,二極管反向恢復(fù)特性/Qrr-FRD
標(biāo)配,柵電荷/Qg
選配,短路特性/SC
選配,單/雙脈沖安全工作區(qū)/RBSOA(Sp/Dp)
選配,雪崩耐量/UIS
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波形例舉
IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500
參數(shù)指標(biāo)
標(biāo)配(阻性/感性)開關(guān)測(cè)試單元/Turn_ON/OFF_L
開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
開通/關(guān)斷延遲td(on)/td(off):10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
上升/下降時(shí)間tr/tf:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff:0.5-10000mJ解析度:0.1mJ
關(guān)斷拖尾時(shí)間tz:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
導(dǎo)通/關(guān)斷峰值電壓Vce/VCEpk:50-1400V解析度/精度:1V@±4%
通態(tài)峰值電流Ipeak/Ic:20-1500A解析度/精度:1A@±4%
標(biāo)配 二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Qrr_FRD
反向恢復(fù)時(shí)間Trr:10-1000ns解析度和精度:1ns@±4%
反向電流Irm:20A-1500A解析度:1A
反向恢復(fù)電荷Qrr:1nC-30000µC解析度:1nC
反向恢復(fù)損耗Erec:0.5-10000mJ,解析度:0.1mJ
di/dt@dv/dt:10A-8000A/us@0.2-5KV/us
反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk:50-1400V解析度和精度:1ns@±4%
正向關(guān)斷電流IFM:20A-1500A解析度和精度:1ns@±4%
標(biāo)配 柵極電荷單元/Qg
閾值電荷Qg(th):20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
柵電荷Qg:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
平臺(tái)電壓vg:.-10V~+20v解析度/精度:0.1V@±2%
柵源電荷Qgs:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
柵漏電荷Qgd:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
選配 短路特性測(cè)試單元/SCSOA
短路電流Isc:6000A解析度/精度:1A@±4%
短路時(shí)間Tsc:5~100us
選配 安全工作區(qū)/RBSOA
RBSOA:VCE/50-1.4KV,Ic/20-2KA
VCE/Ic解析度/精度:1V/1A@±4%
選配 雪崩特性測(cè)試單元/UIS
單/重復(fù)脈沖雪崩能量EAS/EAR:1~2000J解析度:0.1mJ
單脈沖雪崩電流IAS:5-200A解析度和精度1A@±4%
單脈沖雪崩功率PAS:140KW
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