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晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

參考價(jià) 980000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱陜西天士立科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)STA1200
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/4/29 17:26:24
  • 訪問次數(shù)237
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  陜西天士立科技有限公司,專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測之“半導(dǎo)體電學(xué)測試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來自院所高校和知企業(yè)的從事電力電子、芯片開發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。。產(chǎn)品成熟可靠,久經(jīng)市場考驗(yàn),在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢。
 
  “半導(dǎo)體檢測”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測試、器件及IC后道封裝測試。應(yīng)用端的來料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。
 
  “環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。
 
  “電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測設(shè)備;電氣自動(dòng)化設(shè)備,電冶、電化學(xué)整流裝置;電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源,感應(yīng)加熱爐,變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備;晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器;遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng);光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板;SVC無功靜補(bǔ)裝置等。
 
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測試設(shè)備,MOS-FET管場效應(yīng)管測試儀,可控硅參數(shù)測試設(shè)備,光耦參數(shù)測試儀,二三極管參數(shù)測試儀,碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀設(shè)備,半導(dǎo)體器件特性分析儀,IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn),實(shí)時(shí)在線高低溫箱,熱流儀,氣流儀
產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
適用于Si(選配 SiC , GaN)材料的單管級(jí)IGBTs, Diodes, MOSFETs,的動(dòng)態(tài)特性測試電壓源 1200V(選配 2000V)電流源 100A(選配 200A/300A)驅(qū)動(dòng)電壓±20V(選配±30V)個(gè)性單元與主機(jī)靈活搭配,計(jì)算機(jī)程控操作
晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀 產(chǎn)品信息

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)

 

適用于Si(選配 SiC , GaN)材料的單管級(jí)IGBTs, Diodes, MOSFETs,的動(dòng)態(tài)特性測試

電壓源 1200V(選配 2000V)電流源 100A(選配 200A/300A)驅(qū)動(dòng)電壓±20V(選配±30V)

個(gè)性單元與主機(jī)靈活搭配,計(jì)算機(jī)程控操作

 

 

 

試驗(yàn)?zāi)芰?/span>

基本配置

ü 標(biāo)配,開通特性測試單元 / Turn_ON

ü 標(biāo)配,關(guān)斷特性測試單元 / Turn_OFF

ü 標(biāo)配,二極管反向恢復(fù)測試單元 / Trr

ü 標(biāo)配,柵電荷測試單元 / Qg

¨   選配,容阻測試單元 / CR

¨   選配,短路測試單元 / SC

¨   選配,雪崩測試單元 / UIS

¨   選配,安全工作區(qū)單元 / SOA

¨   選配,動(dòng)態(tài)電阻單元 /

高壓源:1200V(選配 2000V)

高流源:100A(選配 200A/300A/500A)

驅(qū)動(dòng)電壓:±20V(選配±30V)

時(shí)間分辨率:1ns(選配 400ps/200ps/100ps)

系統(tǒng)雜感:<20nH

測試對(duì)象:Si(選配SiC/GaN材料IGBTs , Diodes , MOSFETs(選配BJT)

變溫測試:常溫~150℃/200℃

感性負(fù)載:程控電感(0.01mH-160mH,步進(jìn)10uH),選配定制電感

阻性負(fù)載:程控電阻(1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω)備用三個(gè)電阻

測試管型:可以測試N溝道和P溝道的IGBTs , MOSFETs

測試標(biāo)準(zhǔn):國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9/IEC60747-2

國標(biāo)GB/T29332/GB/T4023

 

 

 

 

 






產(chǎn)品概述

STA1200 型晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng),是一款主要面向“單管級(jí)器件”用戶服務(wù)的測試設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)對(duì)Si 基(選配SiC/GaN)材料的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT的多種動(dòng)態(tài)參數(shù)的精確測試,測試原理符合國GJ標(biāo)。

能夠測試測試的參數(shù)包括開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延 遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù) 充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路等等。

通過更換不同個(gè)性單元(簡稱DUT)以達(dá)到對(duì)應(yīng)的測試項(xiàng)目,通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項(xiàng)目及配置測試參數(shù)、讀取保存測試結(jié)果。系統(tǒng)集成度高,性能穩(wěn)定,具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃芎土己玫娜藱C(jī)交互。

該測試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測試的多年經(jīng)驗(yàn),以及眾多國內(nèi)外測試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后,自主開發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代“晶體管動(dòng)態(tài)特性手動(dòng)測試平臺(tái)”。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性以及擴(kuò)展性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升。為從事功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的測試用戶奉上一款優(yōu)秀產(chǎn)品。

 

測試參數(shù)

switch

Trr

Qg

SC

UIS

CR

td(on)開通延遲

td(off)關(guān)斷延遲

tr 上升時(shí)間

tf 下降時(shí)間

ton 開通時(shí)間

toff 關(guān)斷時(shí)間

Eon 開通損耗

Eoff 關(guān)斷損耗

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr

反向恢復(fù)電荷 Qrr

反向恢復(fù)電流 Irm

反向恢復(fù)損耗 Erec

軟度因子 FRRS

電流下降率 di/dt

電壓變化率 dv/dt

Qg(th)閾值電荷

Vg 平臺(tái)電壓

Qg 柵電荷

Qgs 柵源電荷

Qgd 柵漏電荷

 

Icsc 短路電流

Tsc 短路時(shí)間

Esc 短路耐量

EAS 雪崩能量

IAS 雪崩電流

PAS 雪崩功率

Ciss 輸入電容

Coss 輸出電容

Cres 反饋電容

Rg 柵極電阻

 

 


外觀架構(gòu)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

系統(tǒng)特點(diǎn)

  1. 專注于寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測,基于平臺(tái)開發(fā)的人機(jī)交互界面,所有測試條件均可界面化輸入,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動(dòng)調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)一鍵測試;

  2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊,響應(yīng)速度快,抗干擾能力強(qiáng);

  3. 設(shè)備帶有自動(dòng)高溫加熱功能,溫度范圍:室溫~200℃,精度±0.1℃;

  4. 結(jié)果輸出形式:Excel數(shù)據(jù),.JPEG格式波形,Excel波形數(shù)據(jù),其波形可實(shí)現(xiàn)任意放大,縮小細(xì)節(jié)展寬處理分析;

  5. 測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測);

  6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開放,方便客戶按照設(shè)定條件匹配電阻;

  7. 采用Dual ARM控核,DSP作數(shù)據(jù)采樣計(jì)算,極大的減少了控制時(shí)延帶來的誤差;

     


    參數(shù)指標(biāo)

標(biāo)配(阻性/感性)開關(guān)測試單元 / Turn_ON/OFF

漏極電壓測試范圍:5V-1200V,分辨率 1V

漏極電流測試范圍:1A-100A,分辨率1A;

柵極驅(qū)動(dòng):±20V(選配±30V),分辨率 0.1V

MAX柵極電流:2A

脈沖寬度:1us-500us,步進(jìn) 0.1us

時(shí)間測試精度:1ns

感性負(fù)載:0.01mH-160mH 程序控制,步進(jìn) 10uH

阻性負(fù)載:1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω,程序控制,備用三個(gè)電阻

開通/關(guān)斷時(shí)間 ton/toff:1-10000ns分辨率1ns(選配400/200/100ps)

開通/關(guān)斷延遲 td(on)/td(off):0.1-10000ns@1ns(選配400/200/100ps)

上升/下降時(shí)間 tr/tf:1-10000ns分辨率1ns(選配400/200/100ps)

開通/關(guān)斷損耗 Eon/Eoff:1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

標(biāo)配 二極管反向恢復(fù)測試單元 / Qrr_FRD

正向電流:1A-25A,分辨率 0.1A

25A-100A(選配200A/300A)分辨率 1A

反向電壓:5v-100V,步進(jìn) 0.1V

100V-1200V,步進(jìn) 1.0v

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr:1-10000ns,最小分辨率1ns(選配400/200/100ps)

反向恢復(fù)電荷 Qrr:1nC-100µC,最小分辨率 1nC;

反向恢復(fù)電流 Irm:1A-100A(選配200A/300A);

反向恢復(fù)損耗 Erec:1-2000mJ,最小分辨率 1uJ;

電流下降率 dif/dt:50-1kA/us;

電壓變化率 dv/dt:50-1kV/us。

¨ 選配 容阻測試單元 / CR

電容測試掃頻范圍:0.1MHz~5MHz

漏源極電壓:1200V,分辨率 1V

測試參數(shù):Ciss、Coss、Cres

標(biāo)配 柵極電荷單元 / Qg

驅(qū)動(dòng)電流:0-2mA,分辨率 0.01mA

2-20mA,分辨率 0.1mA

20mA-200mA,分辨率 1mA

柵極電壓:±20V(選配±30V)@0.1V

恒流源負(fù)載:1-25A,分辨率0.1A

25-100A(選配200A/300A)@1A

漏極電壓:5-100V,步進(jìn) 0.1V

100-1200V,步進(jìn) 1.0V

柵極電荷 Qg:1nC-100µC

漏極電荷 Qgs:1nC-100µC

源極電荷 Qgd:1nC-100µC

平臺(tái)電壓 Vgp:0~30V,分辨率 0.1V

¨ 選配 短路特性測試單元 / SC

最MAX電流:1000A

脈寬:1us~100us

柵驅(qū)電壓:±20V(選配±30V)@0.1V

漏極電壓:5V~100V,0.1V 分辨率

100V~1200V,1.0V 分辨率

¨ 選配 雪崩測試單元 / UIS

雪崩耐量/EAS:100J

雪崩擊穿電壓/2500V

雪崩電流/IAS:1.0-400A 分辨率 1.0A

感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH,程控可調(diào)

¨  動(dòng)態(tài)電阻Ron,dy

測試標(biāo)準(zhǔn)與原理

 

 

 


關(guān)鍵電路及部件

主電路

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

測試板

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 


 

測試板布局

 

? 低寄生Layout       ? 高抗噪       

? VDS(on)鉗位電路       ? 探頭自動(dòng)校準(zhǔn)

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

 

 

 

 

 

邏輯控制板

? 柵極光纖通信            ? FPGA+DSP架構(gòu)           ? 波形數(shù)據(jù)深度存儲(chǔ)技術(shù)

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

人機(jī)界面

初始界面

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

 

系統(tǒng)設(shè)置界面

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

 

 

 

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置界面

 

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

 

 

 

 

 

 

系統(tǒng)自動(dòng)校準(zhǔn)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

實(shí)測展示

下管驅(qū)動(dòng)使能,電感與上管體二極管并聯(lián)

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

雙脈沖測試結(jié)果

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀


測試鏈路圖(采樣部分)上管驅(qū)動(dòng)使能,電感自動(dòng)切換與下管體二極管并聯(lián)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

 

反向恢復(fù)測試結(jié)果

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試儀

 

 

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