晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
基礎(chǔ)信息
高壓源:1200V(選配2000V)
高流源:100A(選配200A/300A/500A)
驅(qū)動(dòng)電壓:±20V(選配±30V)
時(shí)間分辨率:1ns(選配400ps/200ps/100ps)
系統(tǒng)雜感:<20nH
測(cè)試對(duì)象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(選配BJT)
變溫測(cè)試:常溫~150℃/200℃
感性負(fù)載:程控電感(0.01~160mH,步進(jìn)10uH)
阻性負(fù)載:程控電阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)備用三個(gè)
測(cè)試管型:可以測(cè)試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
試驗(yàn)原理舉例
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
技術(shù)特點(diǎn)
1. 專注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè),軟件程控,測(cè)試條件界面化輸入,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試
2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊,響應(yīng)速度快,抗干擾能力強(qiáng)
3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃
4. 測(cè)試結(jié)果Excel,JPEG波形,波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析
5. 測(cè)試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測(cè))
6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開放,按設(shè)定條件匹配電阻
7. DualARM控核,DSP數(shù)據(jù)采樣計(jì)算,極大減少控制時(shí)延誤差
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
試驗(yàn)?zāi)芰?/span>
標(biāo)配:開通特性測(cè)試單元/Turn_ON
標(biāo)配:關(guān)斷特性測(cè)試單元/Turn_OFF
標(biāo)配:二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Trr
標(biāo)配:柵電荷測(cè)試單元/Qg¨
選配:容阻測(cè)試單元/CR¨
選配:短路測(cè)試單元/SC¨
選配:雪崩測(cè)試單元/UIS¨
選配:安全工作區(qū)單元/SOA¨
選配:動(dòng)態(tài)電阻單元/
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專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
參數(shù)指標(biāo)
√ 標(biāo)配(阻性/感性)開關(guān)測(cè)試單元 / Turn_ON/OFF |
漏極電壓: 5V-1200V, 分辨率 1V |
漏極電流: 1A-100A, 分辨率1A; |
柵極驅(qū)動(dòng): ±20V (選配±30V), 分辨率 0.1V |
柵極電流: 2A/MAX |
脈沖寬度: 1us-500us,步進(jìn) 0.1us |
時(shí)間精度: 1ns |
感性負(fù)載: 0.01mH-160mH 程序控制, 步進(jìn) 10uH |
阻性負(fù)載: 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω , 程控, 備用三個(gè)電阻 |
開關(guān)時(shí)間: ton/toff: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps) |
開關(guān)延遲: td(on)/td(off): 0.1-10000ns@1ns (選配400/200/100ps) |
上下時(shí)間/tr/tf: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps) |
開關(guān)損耗/ Eon/Eoff: 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ |
√ 標(biāo)配 柵極電荷單元 / Qg |
驅(qū)動(dòng)電流: 0-2mA, 分辨率 0.01mA |
2-20mA, 分辨率 0.1mA |
20mA-200mA, 分辨率 1mA |
柵極電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V |
恒流源負(fù)載: 1-25A, 分辨率0.1A |
25-100A(選配200A/300A)@1A |
漏極電壓: 5-100V, 步進(jìn) 0.1V |
100-1200V, 步進(jìn) 1.0V |
柵極電荷 Qg: 1nC-100µC |
漏極電荷 Qgs: 1nC-100µC |
源極電荷 Qgd: 1nC-100µC |
平臺(tái)電壓 Vgp: 0~30V, 分辨率 0.1V |
√ 標(biāo)配 二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元 / Qrr_FRD |
正向電流: 1A-25A, 分辨率 0.1A |
25A-100A (選配200A/300A) 分辨率 1A |
反向電壓: 5v-100V, 步進(jìn) 0.1V |
100V-1200V, 步進(jìn) 1.0v |
反向恢復(fù)時(shí)間 Trr: 1-10000ns, 最小分辨率1ns (選配400/200/100ps) |
反向恢復(fù)電荷 Qrr: 1nC-100µC, 最小分辨率 1nC; |
反向恢復(fù)電流 Irm: 1A-100A (選配200A/300A); |
反向恢復(fù)損耗 Erec: 1-2000mJ, 最小分辨率 1uJ; |
電流下降率 dif/dt: 50-1kA/us; |
電壓變化率 dv/dt: 50-1kV/us。 |
¨ 選配 短路特性測(cè)試單元/ SC |
電流: 1000A/MAX |
脈寬: 1us~100us |
柵驅(qū)電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V |
漏極電壓: 5V~100V, 0.1V 分辨率 |
100V~1200V, 1.0V 分辨率 |
¨ 選配 雪崩測(cè)試單元 / UIS |
雪崩耐量/EAS: 100J |
雪崩擊穿電壓/2500V |
雪崩電流/IAS: 1.0-400A 分辨率 1.0A |
感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH, 程控可調(diào) |
¨ 選配 容阻測(cè)試單元 / CR |
掃頻范圍: 0.1MHz~5MHz |
漏源極電壓: 1200V, 分辨率 1V |
¨ 選配 動(dòng)態(tài)電阻Ron,dy
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