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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià) 980000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱陜西天士立科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)STA1200
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/4/29 17:20:05
  • 訪問次數(shù)236
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  陜西天士立科技有限公司,專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來自院所高校和知企業(yè)的從事電力電子、芯片開發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。。產(chǎn)品成熟可靠,久經(jīng)市場考驗(yàn),在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。
 
  “半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。
 
  “環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。
 
  “電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備;電氣自動(dòng)化設(shè)備,電冶、電化學(xué)整流裝置;電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源,感應(yīng)加熱爐,變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備;晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器;遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng);光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板;SVC無功靜補(bǔ)裝置等。
 
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試設(shè)備,MOS-FET管場效應(yīng)管測(cè)試儀,可控硅參數(shù)測(cè)試設(shè)備,光耦參數(shù)測(cè)試儀,二三極管參數(shù)測(cè)試儀,碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備,半導(dǎo)體器件特性分析儀,IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn),實(shí)時(shí)在線高低溫箱,熱流儀,氣流儀
產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
1. 專注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè),軟件程控,測(cè)試條件界面化輸入,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試
2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊,響應(yīng)速度快,抗干擾能力強(qiáng)
3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃
4. 測(cè)試結(jié)果Excel,JPEG波形,波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析
5. 測(cè)試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測(cè))
6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開放,按設(shè)定條件匹配電阻
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

 

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

基礎(chǔ)信息

高壓源:1200V(選配2000V)

高流源:100A(選配200A/300A/500A)

驅(qū)動(dòng)電壓:±20V(選配±30V)

時(shí)間分辨率:1ns(選配400ps/200ps/100ps)

系統(tǒng)雜感:20nH

測(cè)試對(duì)象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(選配BJT)

變溫測(cè)試:常溫~150℃/200℃

感性負(fù)載:程控電感(0.01~160mH,步進(jìn)10uH) 

阻性負(fù)載:程控電阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)備用三個(gè)

測(cè)試管型:可以測(cè)試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023

 

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

試驗(yàn)原理舉例

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

技術(shù)特點(diǎn)

1. 專注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè),軟件程控,測(cè)試條件界面化輸入,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試

2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊,響應(yīng)速度快,抗干擾能力強(qiáng)

3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃

4. 測(cè)試結(jié)果Excel,JPEG波形,波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析

5. 測(cè)試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測(cè))

6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開放,按設(shè)定條件匹配電阻

7. DualARM控核,DSP數(shù)據(jù)采樣計(jì)算,極大減少控制時(shí)延誤差

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

試驗(yàn)?zāi)芰?/span>

標(biāo)配:開通特性測(cè)試單元/Turn_ON

標(biāo)配:關(guān)斷特性測(cè)試單元/Turn_OFF

標(biāo)配:二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Trr

標(biāo)配:柵電荷測(cè)試單元/Qg¨

選配:容阻測(cè)試單元/CR¨

選配:短路測(cè)試單元/SC¨

選配:雪崩測(cè)試單元/UIS¨

選配:安全工作區(qū)單元/SOA¨

選配:動(dòng)態(tài)電阻單元/

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

參數(shù)指標(biāo)

 

 標(biāo)配(阻性/感性)開關(guān)測(cè)試單元 / Turn_ON/OFF

漏極電壓: 5V-1200V, 分辨率 1V

漏極電流: 1A-100A, 分辨率1A;

柵極驅(qū)動(dòng): ±20V (選配±30V), 分辨率 0.1V

柵極電流: 2A/MAX

脈沖寬度: 1us-500us,步進(jìn) 0.1us

時(shí)間精度: 1ns

感性負(fù)載: 0.01mH-160mH 程序控制, 步進(jìn) 10uH

阻性負(fù)載: 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω ,  控, 備用三個(gè)電阻

開關(guān)時(shí)間: ton/toff: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps)

開關(guān)延遲: td(on)/td(off): 0.1-10000ns@1ns (選配400/200/100ps)

上下時(shí)間/tr/tf: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps)

開關(guān)損耗/ Eon/Eoff: 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

 

 

 標(biāo)配  柵極電荷單元 / Qg

驅(qū)動(dòng)電流: 0-2mA, 分辨率 0.01mA

2-20mA, 分辨率 0.1mA

20mA-200mA, 分辨率 1mA

柵極電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V

恒流源負(fù)載: 1-25A, 分辨率0.1A

25-100A(選配200A/300A)@1A

漏極電壓: 5-100V, 步進(jìn) 0.1V

100-1200V, 步進(jìn) 1.0V

柵極電荷 Qg: 1nC-100µC

漏極電荷 Qgs: 1nC-100µC

源極電荷 Qgd: 1nC-100µC

平臺(tái)電壓 Vgp: 0~30V, 分辨率 0.1V

 

 標(biāo)配  二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元 / Qrr_FRD

正向電流: 1A-25A, 分辨率 0.1A

25A-100A (選配200A/300A) 分辨率 1A

反向電壓: 5v-100V, 步進(jìn) 0.1V

100V-1200V, 步進(jìn) 1.0v

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr: 1-10000ns, 最小分辨率1ns (選配400/200/100ps)

反向恢復(fù)電荷 Qrr: 1nC-100µC, 最小分辨率 1nC;

反向恢復(fù)電流 Irm: 1A-100A (選配200A/300A);

反向恢復(fù)損耗 Erec: 1-2000mJ, 最小分辨率 1uJ;

電流下降率 dif/dt: 50-1kA/us;

電壓變化率 dv/dt: 50-1kV/us。

 

¨ 選配  短路特性測(cè)試單元/ SC

電流: 1000A/MAX

脈寬: 1us~100us

柵驅(qū)電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V

漏極電壓: 5V~100V, 0.1V 分辨率

100V~1200V, 1.0V 分辨率

 

¨ 選配  雪崩測(cè)試單元 / UIS

雪崩耐量/EAS: 100J

雪崩擊穿電壓/2500V

雪崩電流/IAS: 1.0-400A 分辨率 1.0A

感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH, 程控可調(diào)

 

¨ 選配  容阻測(cè)試單元 / CR

掃頻范圍: 0.1MHz~5MHz

漏源極電壓: 1200V, 分辨率 1V

 

¨ 選配  動(dòng)態(tài)電阻Ron,dy

 


 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

 


晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

 

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專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)


 

 

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