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IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

參考價(jià)	￥ 29000
訂貨量	≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱陜西天士立科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)STD2002
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2024/4/29 15:28:24
訪問次數(shù)182

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試IGBT靜態(tài)參數(shù)用儀器專測(cè)IGBT靜態(tài)參數(shù)儀器 IGBT靜態(tài)參數(shù)鋁合金測(cè)試儀 IGBT靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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公司介紹主營產(chǎn)品

　　陜西天士立科技有限公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來自院所高校和知企業(yè)的從事電力電子、芯片開發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。。產(chǎn)品成熟可靠，久經(jīng)市場考驗(yàn)，在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。

　　“半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。

　　“環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。

　　“電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備；電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)整流裝置；電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源，感應(yīng)加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器；遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)；光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板；SVC無功靜補(bǔ)裝置等。

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半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試設(shè)備，MOS-FET管場效應(yīng)管測(cè)試儀，可控硅參數(shù)測(cè)試設(shè)備，光耦參數(shù)測(cè)試儀，二三極管參數(shù)測(cè)試儀，碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備，半導(dǎo)體器件特性分析儀，IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)，實(shí)時(shí)在線高低溫箱，熱流儀，氣流儀

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新
自動(dòng)化程度	半自動(dòng)

測(cè)試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode

測(cè)試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn):《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

該測(cè)試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品信息

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

測(cè)試對(duì)象：IGBT、Mosfet、Diode

測(cè)試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復(fù)二極管的VF、ICES等參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn):《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

該測(cè)試儀具有自動(dòng)保護(hù)功能，且所有參數(shù)的設(shè)定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實(shí)現(xiàn)，支持U盤一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

IGBT測(cè)試

IGBT測(cè)試項(xiàng)目

測(cè)試條件

測(cè)試結(jié)果

柵極-發(fā)射極柵

極絕緣

Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA

精度:±3% ±0.1µA

截止電流

Vces: 100-2000V,分辨力,1 V

精度:±3% ±10V

Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

閾值電壓

Ice： 1-10mA，分辨力， 1mA

（可根據(jù)客戶需求擴(kuò)展）

Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V

飽和壓降

Ice: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1A

Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管壓降

If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1 A

Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V

二極管反向電流

Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10V

Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀STD2002

MOSFET測(cè)試

MOSFET測(cè)試項(xiàng)目	測(cè)試條件	測(cè)試結(jié)果
柵極-源極絕緣	Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V	Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA
漏極-源極截止電流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V	Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA
柵極-源極閾值電壓	Ids： 1-10mA，分辨力， 1mA	Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V
漏極-源極導(dǎo)通電阻	Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A	Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR
二極管壓降	If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A	Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V
二極管反向電流	Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V	Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA