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微型PECVD系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱安徽貝意克設(shè)備技術(shù)有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)BTF-1200C-S-PECVD
  • 所  在  地合肥市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2021/6/10 17:15:08
  • 訪問(wèn)次數(shù)848
產(chǎn)品標(biāo)簽:

PECVD

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(貝意克) BEQ公司是應(yīng)材料界老顧客要求成立的專業(yè)致力于材料制備設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)型企業(yè)。公司擁有多名海歸技術(shù)專家,顧問(wèn)??稍诓牧涎芯康母鱾€(gè)領(lǐng)域?yàn)槟艖n解難,公司產(chǎn)品設(shè)計(jì)*,注重細(xì)節(jié),質(zhì)量可靠,售后無(wú)憂。廣泛應(yīng)用于新能源材料,金屬材料,磁性材料,半導(dǎo)體材料,陶瓷材料,電化學(xué),薄膜材料,CVD,MOCVD,PECVD ,UPECVD,JPECVD,石墨烯,硅納米管,納米線,藍(lán)寶石(LED),光學(xué)材料,齒科等研究領(lǐng)域。

    為更好地服務(wù)于顧客,我公司籌建了多功能實(shí)驗(yàn)室,滿足客戶的各種常規(guī)實(shí)驗(yàn)要求,并有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)為您提供更*的建議和方案,讓您能*的選擇到Z適合您實(shí)驗(yàn)的設(shè)備。

    貝意克(BEQ)以客戶的需求為使命,為材料學(xué)研究者提供Z適合,*的專業(yè)方案。

Best Equipment (貝意克較好的設(shè)備)將是我們一直追求的目標(biāo)。為客戶解決全套方案是貝意克(BEQ)人的追求!

感動(dòng)式服務(wù)贏市場(chǎng),專業(yè)性理念立品牌。是貝意克(BEQ)的立業(yè)之本!

以人為本,用人求德。是貝意克(BEQ)用人原則!

實(shí)驗(yàn)電爐,干燥箱,壓力機(jī)等
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
微型PECVD系統(tǒng),它包括小型真空管式爐,石英真空室、真空抽氣與真空測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、物料噴射系統(tǒng)。電源范圍寬:0-100W可調(diào); 溫度范圍寬:100-1200度可調(diào);濺射區(qū)域?qū)挘?-600mm可調(diào);適用范圍寬:金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復(fù)合薄膜,連續(xù)生長(zhǎng)各種薄膜等。增加功能容易,可擴(kuò)展等離子清洗刻蝕等功能。
微型PECVD系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

主要特點(diǎn)

 

    1. 薄膜沉積速率高:采用了甚高頻技術(shù),大大的提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達(dá)10Å/S;
    2. 大面積均勻性高:采用了*的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù),特殊氣路分布和加熱技術(shù)等,使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%;
    3. 一致性高:用半導(dǎo)體行業(yè)的*設(shè)計(jì)理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
    4. 工藝穩(wěn)定性高:高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;

    5. 選配物料噴射系統(tǒng),可將原料直接噴射到反應(yīng)區(qū)。

 

技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

真空管式爐

爐管尺寸:

外徑Φ50×700mm

極限溫度:

1200℃

溫度控制器:

PID自動(dòng)控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器

zui快升降溫速率:

60℃

加熱區(qū):

230mm

恒溫區(qū):

100mm

溫度精度:

±1℃

電源:

單相220V,交流50Hz

 

 

 

多通道流量計(jì)控制系統(tǒng)

標(biāo)準(zhǔn)量程:

100,200SCCM;(以氮?dú)鈽?biāo)定,除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選)

準(zhǔn)確度:

±1.5%

工作壓差范圍:

0.1~0.5 MPa

zui大壓力:

3MPa

接頭類型:

Φ6雙卡套不銹鋼接頭

 

 

高真空系統(tǒng)

                   

 

泵體積流量N2

33 L/S

壓縮比:

≥1011mbar   

實(shí)驗(yàn)真空值:

≤10-6mbar

功率消耗:

140W

啟動(dòng)時(shí)間:

2min

電源要求:

185-265V AC

射頻電源

信號(hào)頻率:

13.56MHz±0.005%W

功率輸出范圍:

0-100W

zui大反射功率:

10W

關(guān)鍵詞:控制器
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