半導體激光器參數(shù)測量實驗

RLE-CA06 半導體激光器件參數(shù)測量系統(tǒng)

實驗簡介

    半導體激光器件參數(shù)測量實驗是以《半導體器件物理》、《激光原理》為指導教材，針對理工科電子科學與技術專業(yè)、光電子專業(yè)、微電子專業(yè)的教學計劃，開發(fā)的一套專業(yè)教學系統(tǒng)。

    半導體激光器件參數(shù)測量實驗的教學目的是使學生掌握半導體器件的基本結(jié)構、物理原理和特性，熟悉半導體激光器的工藝和參數(shù)測試，為進一步學習相關的專業(yè)課程打下堅實基礎。同時，RealLight®的半導體器件參數(shù)測量系統(tǒng)也可為廣大科研用戶提供半導體激光器參數(shù)測試平臺。

實驗內(nèi)容

知識點

半導體激光器封裝結(jié)構、半導體激光器電參數(shù)（閾值電流I_th、工作電流I_o、工作電壓V_o、背光電流PD、串聯(lián)電阻R_t 等），半導體激光器光參數(shù)（斜率效率E_s、光電效率E_p、中心波長、峰值波長、半高全寬）、控制器電壓V_tec、溫度控制器電流I_tec、波長- 溫度漂移系數(shù)測定、功率- 溫度漂移系數(shù)測定、國家標準功率傳遞定標過程、半導體激光器時間特性、Kink 分析。

選配設備參數(shù)

主要設備參數(shù)

1.光功率探測范圍1~800mW，分辨率0.01mW，準確度±1%。

2.電壓的分辨率：0.01V；準確度：1mV+1%；電流的分辨率：0.001A；準確度：1mA+1%；

TEC溫控范圍：10℃~40℃；TEC溫度的分辨率：0.1℃；恒流條件下熱平衡后，顯示值與設定值之差小于0.2℃；激光器模組內(nèi)PD電流測量范圍0-2000uA，分辨率：0.1μA。

3.光譜測量的波長范圍350nm~1000nm(其它波長可訂制)；

光譜測量的中心波長的分辨率1nm，準確度0.2nm，重復性0.1nm；光譜測量的半高全寬的分辨率0.3nm，重復性5%。

4.探測器組件：

響應波長400-1100nm，高線性度光電二極管，修正光譜響應曲線。

5.光纖光譜儀：

波長范圍：350-1000nm；光學分辨率：1nm；狹縫：25um；光纖連接器：SMA905；探測器：2048線陣CCD，每個像元14×200μm；信噪比：2000：1全光譜；A/D分辨率：12bit；積分時間：4ms-6.5s；USB通訊與供電，無需外部電源；通過CE認證；具備外觸發(fā)功能；功耗：250mA，5VDC；尺寸：91mm×60mm×34.5mm；重量：0.3kg。

6.工控機組件：

12寸5U標準機箱封裝，win7、32位系統(tǒng)。

7.測試積分球：

測試儀積分球：使用高反射率漫反射涂料Spectraflectò，有效光譜范圍：350-2400nm，反射率>98%@600nm，熱穩(wěn)定性100℃，激光損傷閾值1.7J/cm2，內(nèi)徑50mm，三開口，無擋板，采樣口配置防塵蓋，矩形外形設計，便于加持使用。

8.軟件組件：

進行P-I-V測試，繪制P-I-V曲線，測量激光器輸出功率Po、閾值電流Ith、工作電流Io、工作電壓Vo、背光電流PD、串聯(lián)電阻Rt、斜率效率Es、溫控TEC電流Itec、溫控TEC電壓Vtec、對比不同狀態(tài)測試結(jié)果、可測光譜中心波長、光譜寬度、峰值波長、可直接輸出軟件數(shù)據(jù)。

9.機柜：

12U標準機柜，外形600×800×600mm，上蓋帶vesa接口，可安裝顯示器支架，可三維調(diào)整。SPCC優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板，兼容ETSI標準，符合IEC297-2。

10.半導體激光器測試樣品：

10-1、2針TO同軸封裝光纖耦合半導體激光器，中心波長650nm，光纖9μm單模，0.14NA，3mmPVC護套，輸出接口FC/PC，輸出功率60mW；

10-2、2針BCK封裝光纖耦合半導體激光器，中心波長808nm，光纖60μm，0.22NA，3mmPVC護套，輸出接口FC/PC，輸出功率約500mW；

10-3、14針BTF蝶形封裝光纖耦合半導體激光器，中心波長980nm，光纖60μm，0.22NA，3mmPVC護套，輸出接口FC/PC，輸出功率約500mW，帶內(nèi)部PD。

11.實驗手冊及保修卡。