原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
應(yīng)用領(lǐng)域
原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括：
1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）
2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）
3） 光電子材料和器件
4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層
5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED）
6） 互連線勢壘層
7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）
8） DRAM、MRAM介電層
9） 嵌入式電容
10） 電磁記錄磁頭
11） 各類薄膜（<100nm）
半導(dǎo)體領(lǐng)域
晶體管柵極電介質(zhì)層（高k材料），光電元件的涂層，晶體管中的擴(kuò)散勢壘層和互聯(lián)勢壘層（阻止摻雜劑的遷移），有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光（TFEL）元件，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬（MIM）電容器涂層。
納米技術(shù)領(lǐng)域
中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結(jié)構(gòu)，中空納米碗，存儲硅量子點(diǎn)涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線的涂層。
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