官方微信|手機(jī)版|本站服務(wù)|買家中心|行業(yè)動態(tài)|幫助

產(chǎn)品|公司|采購|招標(biāo)

IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀 華科智源

參考價 ￥ 60000
訂貨量 ≥1臺
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號TC57300
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2020/10/23 15:09:21
  • 訪問次數(shù)543
在線詢價 收藏產(chǎn)品 查看電話 同類產(chǎn)品

聯(lián)系我們時請說明是 制藥網(wǎng) 上看到的信息，謝謝!

 

   深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等；
    華夏神州，科技興國，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長；華科智源公司 核心團(tuán)隊由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應(yīng)商，2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng)，SMT智能首件檢測儀，首樣檢測，首板確認(rèn)
產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀 華科智源主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機(jī)包括所有測試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。
IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀 華科智源 產(chǎn)品信息

IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機(jī)包括所有測試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。

IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀概述

  • 測試電壓：大1200 VDC 200（短路電流可達(dá)1000A）
  • 定時測量：低為1 ns
  • 漏電流限制監(jiān)視器
  • -  MOSFET開關(guān)時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr    反向恢復(fù)時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
    -  Qrr range    ：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
    -  MOSFET    柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  IGBT    感性開關(guān)時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
    -  IGBT    短路耐量測試，Max ISC=1000A

    測試標(biāo)準(zhǔn)： 
    - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀選項

  • 額外的電源供應(yīng)器
  • 額外的測試頭
  • 大包裝適配器

ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀測試頭

  • ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關(guān)時間
  • ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
  • ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
  • ITC57240 - 電感式開關(guān)時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
  • ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479

 

 

同類產(chǎn)品推薦
在找 IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀 華科智源 產(chǎn)品的人還在看

提示

×

*您想獲取產(chǎn)品的資料：

以上可多選，勾選其他，可自行輸入要求

個人信息：