電子/半導(dǎo)體生產(chǎn)用水設(shè)備

應(yīng)用特點(diǎn)：晶體半導(dǎo)體、集成電路芯片、計(jì)算機(jī)硬盤(pán)、顯示器、液晶顯示制造過(guò)程中的純水、超純水；工藝中清洗用純水?？刹捎萌詣?dòng)預(yù)處理單元，PLC電控系統(tǒng)、低壓停水保護(hù)。該設(shè)備脫鹽率高、膜使用壽命長(zhǎng)、設(shè)備運(yùn)行可靠、低能耗、低噪音。系統(tǒng)設(shè)置產(chǎn)水超標(biāo)自動(dòng)排放報(bào)警，手動(dòng)、自動(dòng)沖洗，無(wú)水停機(jī)，高低壓保護(hù)及液位控制等功能。

應(yīng)用特點(diǎn)：
晶體半導(dǎo)體、集成電路芯片、計(jì)算機(jī)硬盤(pán)、顯示器、液晶顯示制造過(guò)程中的純水、超純水；
工藝中清洗用純水?？刹捎萌詣?dòng)預(yù)處理單元，PLC電控系統(tǒng)、低壓停水保護(hù)。
該設(shè)備脫鹽率高、膜使用壽命長(zhǎng)、設(shè)備運(yùn)行可靠、低能耗、低噪音。
系統(tǒng)設(shè)置產(chǎn)水超標(biāo)自動(dòng)排放報(bào)警，手動(dòng)、自動(dòng)沖洗，無(wú)水停機(jī)，高低壓保護(hù)及液位控制等功能。

產(chǎn)水水質(zhì)：
TOC＜10ppb 顆粒達(dá)到0.5μm≤200個(gè)/L
二氧化硅SiO2＜5ppb 電阻率≤18.25MΩ.cm（25℃）

工藝流程：預(yù)處理→雙級(jí)反滲透主機(jī)→EDI→拋光混床