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THERMOVAC 變送器真空計(jì) TTR 200 N S

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產(chǎn)品簡介

說明nbsp;nbsp;TTR 200 N THERMOVAC 系列真空變送器可提供從nbsp;5×10-5nbsp;毫巴至nbsp;1500 毫巴的較大測量范圍，基于對nbsp;MEMS Pirani 硅芯片傳感器上小空腔中的熱傳導(dǎo)性和壓電傳感器中硅膜的機(jī)械偏轉(zhuǎn)的測量結(jié)果。nbsp;nbsp;變送器配備nbsp;RS232 數(shù)字通信接口，可設(shè)定變送器參數(shù)并提供實(shí)時(shí)壓力測量。更多詳情，請參閱通信協(xié)......

詳細(xì)介紹

說明

TTR 200 N THERMOVAC 系列真空變送器可提供從 5×10-5 毫巴至 1500 毫巴的較大測量范圍，基于對 MEMS Pirani 硅芯片傳感器上小空腔中的熱傳導(dǎo)性和壓電傳感器中硅膜的機(jī)械偏轉(zhuǎn)的測量結(jié)果。

變送器配備 RS232 數(shù)字通信接口，可設(shè)定變送器參數(shù)并提供實(shí)時(shí)壓力測量。更多詳情，請參閱通信協(xié)議 300544663 (RS232)。

每臺變送器在出廠前已逐臺進(jìn)行全量程測試。測試報(bào)告隨附在包裝中。此外，每個變送器壓力讀數(shù)均在操作溫度范圍內(nèi)逐一得到溫度補(bǔ)償。

變送器擁有三個機(jī)械繼電器，這些繼電器可用于過程控制，例如閥或泵的聯(lián)鎖。模擬電壓輸出可連接至外部模擬設(shè)備，用于獲取壓力讀數(shù)，或進(jìn)行壓力控制。

傳感器技術(shù)

變送器含有兩個獨(dú)立的傳感器元件。MEMS Pirani (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-System (微電子機(jī)械系統(tǒng))) 傳感器元件基于熱傳導(dǎo)性的測量結(jié)果。MEMS Pirani 傳感器包含一個帶有熱電阻元件的硅芯片，其構(gòu)成空腔的一個表面。芯片頂部的封蓋形成空腔的另一表面。由于傳感器的幾何形狀，空腔內(nèi)無法進(jìn)行對流，因此，傳感器對安裝位置并不敏感。通過擴(kuò)散，氣體分子只到達(dá)熱元件，在此處可測量氣體的熱損耗。

壓電傳感器基于對硅膜機(jī)械偏轉(zhuǎn)的測量。硅膜的一側(cè)暴露于環(huán)境壓力，另一側(cè)暴露于真空。

壓電傳感器可測量無關(guān)于氣體成分和濃度的真實(shí)差壓。

這兩個傳感器元件都極為堅(jiān)固耐用，可承受較高重力和瞬間空氣涌入。

變送器可用于眾多不同領(lǐng)域的真空應(yīng)用中，如：工業(yè)應(yīng)用、研發(fā)、半導(dǎo)體、分析和涂料工業(yè)中:

· 真空鎖壓力控制

· 一般真空壓力測量

· 前級管道和粗抽壓力測量

· 氣體回填測量和控制

· 質(zhì)譜儀控制

· 啟動超高真空電離 (UHV) 規(guī)

· 系統(tǒng)過程控制

· 檢測異常壓力，利用設(shè)定點(diǎn)繼電器采取妥當(dāng)?shù)陌踩胧?/span>

· 控制系統(tǒng)壓力

應(yīng)用

差分壓電傳感器將始終相對于環(huán)境壓力進(jìn)行精確的測量，不論環(huán)境條件如何改變。這使其成為以下高精度控制的理想備選:

- 真空鎖 (確保精確快速的排氣并防止真空鎖受到空氣污染)

- 相對于環(huán)境的腔室超壓和欠壓控制。

例如:

一名客戶想要在 10 毫巴的相對環(huán)境超壓下打開真空鎖，以免在他打開真空鎖時(shí)氣體涌入真空鎖。為此，此客戶可以基于差分壓電讀數(shù)來執(zhí)行一種控制算法。當(dāng)壓電讀數(shù)為 +10 毫巴時(shí)，表示真空鎖中的壓力較真空鎖外的環(huán)境壓力超出 10 毫巴 (不論環(huán)境壓力是多少，例如 1000 或 1020 毫巴)。除差分測量之外，變送器還提供較寬的測量范圍，此范圍可通過模擬輸出獲得。

技術(shù)數(shù)據(jù)

測量原理:

依據(jù) MEMS Pirani 傳感器的熱傳導(dǎo)

壓電傳感器中硅膜的機(jī)械偏轉(zhuǎn)

測量范圍 (N2 和空氣):

5×10-5 至 1500 毫巴

測量范圍差分:

-1013 至 1013 毫巴 (RS232)

精確度 (1) (N2):

MEMS Pirani:

5×10-4 至 1x10-3 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±10%

1×10-3 至 100 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±5%

100 至 1000 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±25%

差分壓電:

-10 至 10 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±10% ±0.67 毫巴

-100 至 -10 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±8%

-1013 至 -100 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±1%

10 至 100 毫巴

誤差是讀數(shù)的 ±5%

重復(fù)性 (1) (N2):

MEMS Pirani:

1x10-3 至 100 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±2%

差分壓電:

-1013 至 10 毫巴:

誤差是讀數(shù)的 ±1%

電源電壓:

9-30 伏直流

功耗:

< 1.2 瓦

熔絲 (熱可恢復(fù)):

200 毫安

模擬輸出:

0.61-10.23 伏直流，Log. 1.286 伏直流/十進(jìn)制

模擬輸出分辨率:

16 位

模擬輸出阻抗:

100 歐

模擬輸出更新率:

16 赫茲

傳感器故障，模擬輸出:

0.5 伏

設(shè)定點(diǎn)繼電器:

P/N: 230365V02:

設(shè)定點(diǎn)繼電器范圍:

值:

2 ×10-4 至 1300 毫巴

差分值:

-1013 毫巴至 1333 毫巴

設(shè)定點(diǎn)繼電器觸點(diǎn)額定值:

1 安/30 伏直流/交流 (電阻性負(fù)載)

設(shè)定點(diǎn)繼電器響應(yīng)時(shí)間:

< 100 毫秒

設(shè)定點(diǎn)繼電器觸點(diǎn)電阻:

100 毫歐 (值)

設(shè)定點(diǎn)繼電器觸點(diǎn)耐久性:

100000 循環(huán) (最小值) (30 伏直流/1 安負(fù)載)

設(shè)定點(diǎn)繼電器觸點(diǎn)耐久性:

2000000 循環(huán) (最小值) (30 伏直流/0.2 安負(fù)載)

材料暴露于真空 (2):

304 號不銹鋼、密封材料 FPM

內(nèi)部容積:

KF16 法蘭

2.8 厘米3

外殼材質(zhì):

304 號不銹鋼

法蘭材質(zhì):

304 號不銹鋼

重量:

305 克

允許壓力:

2 巴

運(yùn)行溫度:

0 至 40 °C (32 至 104 °F)

烘烤溫度 (電源關(guān)閉):

85 °C (185 °F)

燈絲溫度:

超過室溫 35 °C

濕度:

0 – 95% 非冷凝

異物防護(hù)等級:

IP40

泄漏速率:

< 5.10-9 毫巴?升/秒

配件和備件編號

零件	產(chǎn)品號
TTR 200 N，ATM，DN16 KF，RS232，3SP	230365V02

螺旋管 DN 16 ISO-KF	230082
擋板 DN 25 ISO-KF，含定心環(huán)	230078

定心環(huán) (1.4305 號不銹鋼)，含 O 型環(huán)，DN16 KF	88346
定心環(huán) (不銹鋼)，含燒結(jié)金屬過濾器，DN16 KF	88351
卡環(huán) (鋁)，DN16 KF	18341
定心環(huán)，含細(xì)濾器 DN16 KF	88396