詳細(xì)摘要： 滑式真空爐CVD系統(tǒng)由滑動(dòng)式開啟式真空管式爐,混氣系統(tǒng),真空及壓力系統(tǒng)等組成。此系統(tǒng)燒結(jié)溫度可達(dá)1200℃,通過滑動(dòng)爐體來(lái)實(shí)現(xiàn)快速的升降溫

詳細(xì)摘要： 混合氣體化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)由高溫管式爐,真空壓強(qiáng)控制系統(tǒng),多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng),過壓保護(hù)及冷凝等部分組成,可實(shí)現(xiàn)真空達(dá)0.1mbar混合氣體化學(xué)...

詳細(xì)摘要： CVD浮子混氣系統(tǒng)適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長(zhǎng)薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用

詳細(xì)摘要： 管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成,溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等,極限真空可以達(dá)到10-3Pa

詳細(xì)摘要： 雙溫區(qū)PECVD實(shí)驗(yàn)室設(shè)備由滑動(dòng)式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成,溫度可以達(dá)到1400度,極限真空可以達(dá)到10-3Pa,供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量...

詳細(xì)摘要： 三溫區(qū)PECVD實(shí)驗(yàn)室設(shè)備由單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計(jì)、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成PECVD設(shè)備是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體