詳細介紹
品牌:日立(Hitachi) 型號:SU9000 產(chǎn)地:Japan
二次電子圖象分辨率:0.4nm@30kV,1.2nm@1kV
放大倍數(shù):220~8,000,000
儀器種類:場反射
加速電壓:0.5~30kV
日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的*半導體器件,高分辨成像所設計。
全新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV(SE)
1.2nm / 1kV(SE)
0.34nm / 30kV(STEM)
用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
品牌:日立(Hitachi) 型號:SU9000 產(chǎn)地:Japan
二次電子圖象分辨率:0.4nm@30kV,1.2nm@1kV
放大倍數(shù):220~8,000,000
儀器種類:場反射
加速電壓:0.5~30kV
日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的*半導體器件,
高分辨成像所設計。
全新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV(SE)
1.2nm / 1kV(SE)
0.34nm / 30kV(STEM)
用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。