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MiniLED光電特性測(cè)試

MiniLED芯片在被封裝前后，需要經(jīng)過(guò)檢測(cè)工序，以剔除其中的不合格品。其中，光電性能檢測(cè)是非常重要的指標(biāo)參數(shù)。光電性能檢測(cè)是指對(duì)晶圓上的芯片，或者封裝后的成品，對(duì)其電壓(V)、電流（I），V_FD，波長(zhǎng)(WD)、亮度(LOP)、抗靜電能力(ESD)，等光電性性能逐一進(jìn)行測(cè)試，得到實(shí)際數(shù)值，進(jìn)而為后續(xù)加工生產(chǎn)提供可靠的產(chǎn)品實(shí)際性能信息。由于Mini   LED具有尺寸小，使用數(shù)量大等特性，因此，其光電特性測(cè)試也提出了新的要求。

高精度微弱電流

由于MiniLED本身的特性，正向點(diǎn)亮測(cè)試時(shí)，輸入電流較小，一般在mA，甚至uA；反向高壓漏電流測(cè)試，電流甚至低至nA。精確穩(wěn)定地輸出與測(cè)量電流，是獲取準(zhǔn)確測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)的先決條件。

高效率

MiniLED生產(chǎn)工藝效率要求高，預(yù)留給芯片的電性能測(cè)試時(shí)間，一般控制在十幾ms以?xún)?nèi)。高效快速的輸出與檢測(cè)電壓、電流，是提升生產(chǎn)效率的重要保證。

廣泛兼容性

Mini   LED測(cè)試，往往需采用自動(dòng)化設(shè)備來(lái)進(jìn)行，且測(cè)試項(xiàng)目包含電壓，電流等電特性參數(shù)，以及光譜，光功率等光性能參數(shù)。廣泛的軟硬件兼容性，有助于終端用戶(hù)，根據(jù)實(shí)際測(cè)試要求，選配不同測(cè)試儀器，以及自動(dòng)化設(shè)備。

利用數(shù)字源表進(jìn)行Mini LED光電特性測(cè)試

實(shí)施MiniLED光電特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源，輸出恒壓或恒流、還可以當(dāng)作表，進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量；支持Trig觸發(fā)，可實(shí)現(xiàn)與光譜儀，探針臺(tái)，分選機(jī)等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)工作。

目前，光電性能檢測(cè)是通過(guò)Mini   LED點(diǎn)測(cè)機(jī)實(shí)現(xiàn)的，用于測(cè)量晶圓上每一顆芯片。點(diǎn)測(cè)機(jī)的主要結(jié)構(gòu)單元包括探針臺(tái)，電性能測(cè)試單元，光性能測(cè)試單元，以及上位機(jī)控制系統(tǒng)等。該工序根據(jù)實(shí)際情況，位于晶圓劃片前，或者后工序。設(shè)備基本構(gòu)成主要包括探針臺(tái)，電子顯微鏡，SMU，ESD，工控機(jī)，積分球，光譜儀等。其中，SMU的作用是對(duì)芯片進(jìn)行IV特性測(cè)試，同時(shí)在光學(xué)測(cè)試中，對(duì)芯片進(jìn)行供電。

常用的電性能測(cè)試項(xiàng)目包括，V_F1,V_F2,I_R,V_Z,V_FD,D_VF等。

⑴ V_F（正向電壓）測(cè)試， FIMV： 一般會(huì)測(cè)兩個(gè)點(diǎn)， D一個(gè)點(diǎn)V_F1為 LED剛點(diǎn)亮?xí)r電壓， 第二個(gè)點(diǎn)V_F2為LED 正常工作時(shí)的電壓；
⑵ V_Z（反向擊穿電壓）測(cè)試， FIMV：一定反向電流時(shí)，器件兩端的電壓;
⑶ I_R（反向泄露電流）測(cè)試， FVMI： 一定反向電壓時(shí)， 流過(guò)器件的電流；
⑸ D_VF 測(cè)試，材料熱縮效應(yīng)測(cè)試， FIMV： 對(duì)LED施加兩次不同的電流，并計(jì)算不同條件下的電壓差；
⑹ V_FD 測(cè)試，正向電壓暫態(tài)峰值電壓測(cè)試， FIMV： 對(duì)LED施加一定的正向電流，同時(shí)采集電壓變化，   尖峰電壓與正常電壓的差值即為V_FD；                                          

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