武漢科思特CS150H電化學(xué)工作站硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位電位控制范圍:±10V
恒電流控制范圍:±2.0A
電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)
電位分辨率:10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz)
電流靈敏度:1pA
電位上升時(shí)間:<1mS(<10mA), <10mS(<2A)
參比電極輸入阻抗:1012W||20pF
電流量程:2nA~2 A , 共10檔
槽壓:±21V
大輸出電流:2.0A
CV 和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s
CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s
電流掃描增量:1mA @1A/mS
電位掃描時(shí)電位增量:0.076mV @1V/mS
SWV頻率:0.001~100KHz
DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s
AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz, 20bit @1KHz
DA分辨率:16bit, 建立時(shí)間:1mS
CV的小電位增量:0.075mV
IMP頻率:10mHz~1MHz
低通濾波器:8段可編程
電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置
接口通訊模式:USB2.0
2、CorrTest測(cè)量與控制軟件主要功能
穩(wěn)態(tài)極化:開(kāi)路電位測(cè)量(OCP)、恒電位極化(I-t曲線)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線)、動(dòng)電流掃描(DGP)
暫態(tài)極化:任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、多電位階躍(VSTEP)、多電流階躍(ISTEP)伏安分析:線性掃描伏安法(LSV)#、線性循環(huán)伏安法(CV)、腐蝕測(cè)量:動(dòng)電位再活化法(EPR)、電化學(xué)噪聲(EN)、電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)、晶間腐蝕
電池測(cè)試:電池充放電測(cè)試、恒電流充放電擴(kuò)展測(cè)量:圓盤電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、控制電位電解庫(kù)侖法(BE)、掃描階躍混合方法(SSF)、其它外設(shè)擴(kuò)展端口(定制)
3、武漢科思特CS150H電化學(xué)工作站儀器配置
1)儀器主機(jī)1臺(tái);
2)CorrTest測(cè)試與分析軟件1套
3)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
4)電極電纜線(含噪聲測(cè)量線)1條
5)模擬電解池1個(gè)(儀器自檢器件)
6)電化學(xué)實(shí)驗(yàn)配件1套,含:電解池1套、參比電極1支、鉑金輔助電極1支。
5、售后服務(wù)
1)質(zhì)保期3年。免費(fèi)提供同型號(hào)軟件升級(jí)。
2)根據(jù)用戶需要,免費(fèi)安裝調(diào)試培訓(xùn)。
3)提供終身維修服務(wù)。免維修費(fèi),質(zhì)保期外酌收材料成本費(fèi)。
4)快遞送貨,運(yùn)費(fèi)及儀器在運(yùn)輸過(guò)程中造成的損壞由供貨方承擔(dān)。