800 W 加熱功率 (600W 于 115/100 V)
加熱盤溫度范圍: 20 - 300℃
介質(zhì)溫度范圍: 達(dá) 250℃
速度范圍: 100 - 1,400 rpm
速度控制精度 : ± 2 %
加熱盤: 陶瓷涂層的硅鋁合金
良好的熱傳導(dǎo)效率和分配性能
良好的防刮花和抗化學(xué)腐蝕性能
加熱盤直徑: 145 mm
通過兩個(gè)獨(dú)立的溫度探頭, 提供額外的安全控制線路和加熱盤切斷功能
當(dāng)盤面溫度超過設(shè)定溫度25℃時(shí),獨(dú)立線路開關(guān),自動(dòng)停止加熱
升級(jí)磁力攪拌器可選配EKT Hei-Con溫度控制器準(zhǔn)確控溫,防止熱沖,提高實(shí)驗(yàn)重現(xiàn)性
三端雙向可控硅開關(guān)元件, 確保產(chǎn)品的使用壽命
電加強(qiáng)型大功率攪拌磁力發(fā)動(dòng)機(jī), 驅(qū)動(dòng)攪拌子輕而易舉
良好的攪拌性能,處理量達(dá) 20升 (H2O)
子轉(zhuǎn)速限制,保護(hù)發(fā)動(dòng)機(jī)受損
型號(hào) MR Hei-Standard P/N貨號(hào)(230V) 505-20000-00 轉(zhuǎn)速(rpm) 1400 速度精度(%) ±2 顯示 - 模擬/數(shù)字接口 - 加熱功率(W) 800(*) 加熱盤溫度(℃) 20-300 介質(zhì)溫度(℃) 250 溫度設(shè)定精度(℃) ±5 外置準(zhǔn)確溫度探頭 Hei-Con 外置溫度探頭的溫度精度(℃) ±1 溫度探頭破壞保護(hù) 通過Hei-Con 溫度控制 微處理器 加熱盤溫度精度 ±5 加熱盤過溫保護(hù)(℃) 25℃高于加熱盤溫度 控制容量(H2O)(I) 20 負(fù)載重量(Kg) 25 功率消耗(W) 820 環(huán)境溫度范圍(℃) 0-40 相對(duì)濕度(%) 80 加熱盤直徑(mm) ?145 加熱盤材料 硅鋁合金陶瓷涂層 重量(Kg) 2.6 直徑I*W*H(mm) 173*277*94 保護(hù)等級(jí)(DIN 60529) IP 32