概述
由于國內(nèi)電子消費市場快速發(fā)展，各類型電子行業(yè)領域?qū)τ谛酒枨罅烤薮螅試鴥?nèi)這兩年半導體行業(yè)發(fā)展迅速，電子材料、電子級溶劑、電子特氣等電子化學品對于芯片制程至關重要，所以國內(nèi)很多大型化工企業(yè)在該領域都進行了大量的研發(fā)及投資。
電子化學品生產(chǎn)工藝主要分為反應合成→分離純化→產(chǎn)品充裝等三個模塊，由于電子級化學品生產(chǎn)對于裝備要求，目前國內(nèi)市場沒有針對該類型產(chǎn)品的設備，所以AISHENGKE 公司與生產(chǎn)企業(yè)、國內(nèi)研究機構進行合作，針對客戶需求進行了工藝、裝備研發(fā)及設計，開發(fā)了可用于生產(chǎn)電子級特氣、電子材料、電子級溶劑等一體化連續(xù)中試及生產(chǎn)型裝置。目前該裝置已經(jīng)在很多企業(yè)中有大量應用，并且得到市場的檢驗以及行業(yè)專家的認可。
產(chǎn)品概述
高純連續(xù)精餾裝置主要由塔釜再沸器、精餾塔、塔頂冷凝器、回流比分配器/回流罐、塔內(nèi)件、塔頂收集罐、塔釜收集罐、閥門及管件機泵、控制系統(tǒng)等主要部件組成，所有設備材料均采用316L不銹鋼制作，塔釜再沸器結構設計主要根據(jù)處理量及工藝需求進行選型設計，加熱方式主要采用導熱油/蒸汽，換熱器一般采用外置列管換熱器或內(nèi)置盤管式，塔頂冷卻主要采用循環(huán)冷媒進行換熱，由于實驗規(guī)?，F(xiàn)場一般未安裝冷卻塔，所以小試或中試一般配套外置循環(huán)制冷設備。
高純連續(xù)精餾裝置配置有多種規(guī)格型號，可供不同產(chǎn)品精制及處理量需要選擇、配用，高純精餾裝置設備與物料接觸部分全部采用電解拋光處理，電解拋光采用日本處理工藝，后處理工藝屬于核心關鍵，屬于技術保密部分，閥門采用EP等級隔膜閥或波紋管閥，系統(tǒng)管路連接方式采用VCR或焊接形式，設備連接部分全部采用法蘭連接，安裝更換非常方便，儀表部分采用EP級產(chǎn)品，液位計及物料輸送泵屬于AISHENGKE公司定制件，整套撬裝系統(tǒng)在集成過程中需要在潔凈間完成組裝及焊接，整套系統(tǒng)設計對于加工及組裝要求。(如電子級化學品應用屬于半導體級別，則整個分離純化工藝設計及設備要求需要另行設計，與該設計差別性很大，整套系統(tǒng)設計及制造需要提高一個等級。)
本裝置控制系統(tǒng)采用PLC集成控制，自控系統(tǒng)能達到通過查看流程界面，翻閱查看儲存的歷史工藝數(shù)據(jù)，能調(diào)閱各工藝參數(shù)曲線，實現(xiàn)壓力、溫度、流量的精確控制與系統(tǒng)穩(wěn)定，配置多級關鍵的保護系統(tǒng)，通過一些安全連鎖設計確保裝置和操作人員的安全。
設計目標是為客戶建立高質(zhì)量高水平的試驗裝置撬裝平臺。裝置的整體水平要求自動化程度高，數(shù)據(jù)精確度及重復性好，操作方便，安全可靠并能長周期穩(wěn)定運行。
技術參數(shù)
根據(jù)客戶要求連續(xù)化設計
設備材質(zhì)：不銹鋼316L、哈氏合金、襯氟等。
塔徑(中試規(guī)模)： DN50、DN80、DN100、DN150等，具體規(guī)格以工藝計算結果為準;
塔高：根據(jù)物性以及分離要求進行ASPEN計算或小試結果得到的理論板數(shù)進行設計及非標定制;
填料類型(后處理)：5mmθ環(huán)金屬絲網(wǎng)填料、玻璃彈簧填料、四氟鮑爾環(huán)、規(guī)整填料等。
塔釜設計溫度：常溫～200℃，常溫～300℃
設計壓力：-1bar～10bar(根據(jù)客戶要求進行設計)。
回流方式：液位差回流/強制回流，液位差回流采用回流比分配器(ASK產(chǎn)品)進行控制，回流比調(diào)節(jié)范圍1:99/99:1;也可以采用回流罐+泵進行控制，實現(xiàn)回流比調(diào)節(jié)。
控制系統(tǒng)：PLC集成控制，實現(xiàn)溫度、壓力、回流比、流量、液位、攪拌調(diào)速控制與數(shù)據(jù)實時采集。
選配：
真空系統(tǒng)、加熱循環(huán)機組、制冷循環(huán)機組、高低溫一體機：國產(chǎn)/進口供客戶選擇。
以上參數(shù)僅供參考，具體技術要求根據(jù)客戶需求定制。
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