德國Sentech PE-ALD 等離子體增強--原子層沉積
原子層沉積(ALD)是在3D結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入前置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積(PEALD)是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ALD性能的*方法。
原子層沉積(ALD)是在3D結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入前置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積(PEALD)是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ALD性能的*方法。
SENTECH基于多年研發(fā)制造PECVD和ICPECVD的經(jīng)驗,包括專有的PTSA技術,推出臺PEALD設備。新的ALD設備應用SENTECH橢偏儀,使熱輔助和等離子輔助的操作和沉積過程都能得到監(jiān)控。
SENTECH使用激光橢偏儀和寬量程分光橢偏儀的前沿技術——超快在線橢偏儀來監(jiān)控逐層膜生長。
臺PEALD設備已經(jīng)在布倫瑞克科技大學(TU Braunschweig)投入使用,用于生長超高均勻性和密度的氧化膜,如Al2O3和ZnO等。
在Al2O3沉積過程中,基鋁(TMA)等離子產(chǎn)生的氧原子反應,襯底溫度為80到200℃。PEALD薄膜厚度均勻性高、折射率變化小的特點。