主要優(yōu)勢
·在自然狀態(tài)下對材料進(jìn)行原位研究:具有環(huán)境真空模式(ESEM)的*高分辨率場發(fā)射掃描電鏡
·縮短樣品制備時間:低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析,樣品表面無荷電累積
·在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品, 同步獲取二次電子像和背散射電子像
·安裝原位冷臺、珀爾帖冷臺和熱臺,可在-165°C 到1400°C 溫度范圍內(nèi)進(jìn)行原位分析
·的分析性能,樣品倉可同時安裝三個EDS 探測器,其中兩個EDS端口分開180°、 WDS 和共面 EDS/EBSD
·針對不導(dǎo)電樣品的分析性能:憑借“壓差真空系統(tǒng)”實(shí)現(xiàn)低真空模式下的精確EDS 和EBSD 分析
·靈活、精確的優(yōu)中心樣品臺,105°傾斜角度范圍,可觀察樣品
·軟件直觀、簡便易用,并配置用戶向?qū)Ъ癠ndo(撤銷)功能,操作步驟更少,分析更快速
·全新創(chuàng)新選項(xiàng),包括可伸縮RGB 陰極熒光(CL)探測器、1100°C 高真空熱臺和AutoScript(基于Python 的腳本工具API)
·在自然狀態(tài)下對材料進(jìn)行原位研究:具有環(huán)境真空模式(ESEM)的*高分辨率場發(fā)射掃描電鏡
·縮短樣品制備時間:低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析,樣品表面無荷電累積
·在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品, 同步獲取二次電子像和背散射電子像
·安裝原位冷臺、珀爾帖冷臺和熱臺,可在-165°C 到1400°C 溫度范圍內(nèi)進(jìn)行原位分析
·的分析性能,樣品倉可同時安裝三個EDS 探測器,其中兩個EDS端口分開180°、 WDS 和共面 EDS/EBSD
·針對不導(dǎo)電樣品的分析性能:憑借“壓差真空系統(tǒng)”實(shí)現(xiàn)低真空模式下的精確EDS 和EBSD 分析
·靈活、精確的優(yōu)中心樣品臺,105°傾斜角度范圍,可觀察樣品
·軟件直觀、簡便易用,并配置用戶向?qū)Ъ癠ndo(撤銷)功能,操作步驟更少,分析更快速
·全新創(chuàng)新選項(xiàng),包括可伸縮RGB 陰極熒光(CL)探測器、1100°C 高真空熱臺和AutoScript(基于Python 的腳本工具API)
樣品臺和樣品
優(yōu)化的檢測系統(tǒng)適用于各種真空模式