硅膠表面殘余硅羥基的活性（酸性）、硅膠中的金屬殘留和硅膠表面的不均勻是導性化合物色譜峰型不對稱，拖尾和重現(xiàn)性差的重要因素。博納艾杰爾科技創(chuàng)新的硅膠雙層表面處理技術，可有效克服上述導性化合物分離不佳的因素的影響。
博納艾杰爾科技推出基于硅膠雙層表面處理技術的強極性化合物HPLC 分離的系統(tǒng)解決方案：Venusil MP C18，Venusil ASB C18* 和Venusil HILIC 系列色譜柱，使得強極性化合物的分離不再是難題，您將獲得的色譜體驗。
硅膠雙層表面處理技術原理如圖1 所示，硅膠A 先用原硅酸酯B進行表面鍵合得到C，C 進一步水解為D，D 相對于初始的硅膠A，增加了一層新的表面（圖1 中D 的虛框部分）。
新增加的表面層相比初始硅膠A 的表面層有如下優(yōu)點：
1、新表面層硅羥基酸性大大降低（新增表面的硅羥基pH=5.2，普通硅膠羥基pH=3.5），硅羥基活性降低，對堿性化合物的二次保留
效應大大減弱，堿性化合物的峰型更加尖銳對稱。
2、新表面層覆蓋了初始硅膠中的金屬殘留，增加了硅膠表面純度，屏蔽了殘留金屬對極性化合物的不利影響，峰型大大改善。
3、新表面層覆蓋了硅膠微晶形成過程中導致的表面不均勻，使得硅膠表面更加均勻，重現(xiàn)性更佳。
4、新表面層具有更多的硅羥基，親水性增加，可以使用水或緩沖鹽作為流動相，方法開發(fā)靈活性大大增加。
圖1 硅膠雙層表面處理示意圖
圖2 Venusil ASB C18硅膠表面鍵合技術示意圖
注：Venusil ASB C18 是在形成新的硅膠表面層上鍵合異丁基硅烷。
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