BX51-IR型近紅外顯微鏡
MX63L-IR型近紅外顯微鏡（12”晶圓檢查專用顯微鏡）
紅外物鏡
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| LMPLN5XIR | LMPLN10XIR | LCPLN20XIR | LCPLN50XIR | LCPLN100XIR注意 |
| 倍數(shù) | 數(shù)值孔徑 | 工作距離（mm） | 硅片厚度 | 分辨率（μm） |
| 5X | 0.1 | 23 | —— | 5.50 |
| 10X | 0.3 | 18 | —— | 1.83 |
| 20X | 0.45 | 8.3 | 0-1.2 | 1.22 |
| 50X | 0.65 | 4.5 | 0-1.2 | 0.85 |
| 100X | 0.85 | 1.2 | 0-1 | 0.65 |
注：分辨率在1100nm波長(zhǎng)下計(jì)算
新舊紅外物鏡性能對(duì)比
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| LMPL20XIR（舊型號(hào)） | LCPLN20XIR（新型號(hào)） | LMPL50XIR（舊型號(hào)） |
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| LCPLN50XIR（新型號(hào)） | LMPL100XIR（舊型號(hào)） | LCPLN100XIR（新型號(hào)） |
紅外顯微鏡的應(yīng)用
– Vcsel芯片隱裂（cracks）、InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測(cè)
– 法拉第激光隔離器,Faraday Isolator近紅外無(wú)損檢測(cè)
– die chip 失效分析
– 紅外透射Wafer正反面定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量
– 硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底無(wú)損紅外檢測(cè)
– 太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè)
Vcsel芯片隱裂（cracks）
法拉第激光隔離器膠合偏振片無(wú)損檢驗(yàn)
die chip 失效分析
紅外Wafer正反面定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量
硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底 缺陷無(wú)損紅外檢測(cè)
太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè)
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