IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)開關(guān)短路反向恢復(fù)測(cè)試
半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
系統(tǒng)概述
IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開關(guān)器件，其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有極其重要的實(shí)際意義。
天光測(cè)控IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)開關(guān)短路反向恢復(fù)測(cè)試，該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專門設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關(guān)時(shí)間測(cè)試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復(fù)特性的測(cè)試。
基礎(chǔ)規(guī)格
規(guī) 格：1800×800×800（mm）
質(zhì) 量：155Kg
環(huán)境溫度：15～40℃
相對(duì)濕度：小于80%
大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa
電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波
電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動(dòng)態(tài)參數(shù)（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱 特 性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測(cè)試 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件
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