半導(dǎo)體測(cè)試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)
| 品牌 : | 天光測(cè)控 | 型號(hào) : | ST-SP 2000 |
| 加工定制 : | 是 | 類型 : | 分立器件測(cè)試儀 |
| 測(cè)量范圍 : | 電壓2000V，電流100A | 精確度 : | 正負(fù)%0.1精度 |
| 儀表尺寸 : | 200*100*80mm | 適用范圍 : | 分立器件測(cè)試儀 |
| 儀表重量 : | 5kg | 工作電源 : | 220v |
| 規(guī)格 : | 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀 |
產(chǎn)品詳情
Product details
1． 系統(tǒng)配置簡(jiǎn)介
1.1 系統(tǒng)概述
天光測(cè)控ST-SP 2000是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管圖示系統(tǒng)，本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門有廣泛的應(yīng)用。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測(cè)試時(shí)間是6 to 20ms,通常上百個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來，數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導(dǎo)入EXCEL等格式進(jìn)一步分析研究，是一款高效多功能的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
半導(dǎo)體測(cè)試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)
本系統(tǒng)使用方便，只需要通過USB或者RS232與電腦連接，通過電腦中友好的人機(jī)界面操作，即可完成測(cè)試。并可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試數(shù)據(jù)以EXCEL和WORD的格式保存。系統(tǒng)提供過電保護(hù)功能，門極過電保護(hù)適配器提供了廣泛的診斷測(cè)試。這些自我測(cè)試診斷被編成測(cè)試代碼,以提供自我測(cè)試夾具,在任何時(shí)間都可以檢測(cè)。對(duì)診斷設(shè)備狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果提供了可靠地保證。
1.2 天光測(cè)控ST-SP 2000測(cè)試儀指標(biāo)
技術(shù)指標(biāo) | |||||
主極參數(shù) | 控制極參數(shù) | ||||
指標(biāo) | 標(biāo)配 | 指標(biāo) | 標(biāo)配 | ||
主極電壓: | 1mV-2000V | 控制極電壓： | 100mV-20V | ||
電壓分辨率： | 1mV | 電壓分辨率： | 1mV | ||
主極電流： | 0.1nA-100A | 可擴(kuò)展1250A | 控制極電流： | 100nA-10A | |
電流分辨率： | 0.1nA | ||||
測(cè)試精度： | 0.2+2LSB | ||||
測(cè)試速度： | 0.5mS/參數(shù) | ||||
1.3 天光測(cè)控ST-SP 2000測(cè)試系統(tǒng)是一套高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng)，它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力，可真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試下列各種大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。
測(cè)試范圍 / 測(cè)試參數(shù) | |||
序號(hào) | 測(cè)試器件 | 測(cè)試參數(shù) | |
01 | 絕緣柵雙*功率晶體管 IGBT | ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON； VGEON；VF；GFS | |
02 | MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET | IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS； VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS | |
03 | J型場(chǎng)效應(yīng)管 J-FET | IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON； IDSS；GFS；VGSOFF | |
04 | 二極管 DIODE | IR；BVR ；VF | |
05 | 晶體管 （NPN型/PNP型） | ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO； BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF | |
06 | 雙向可控硅 TRIAC | VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- | |
07 | 可控硅 SCR | IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM； IGT；VGT；IL；IH | |
08 | 硅觸發(fā)可控硅 STS | IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- | |
09 | 達(dá)林頓陣列 DARLINTON | ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO； BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ； VCESAT； VBESAT；VBEON | |
10 | 光電耦合 OPTO-COUPLER | ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO； CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) | |
11 | 繼電器 RELAY | RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME | |
12 | 穩(wěn)壓、齊納二極管 ZENER | IR；BVZ；VF；ZZ | |
13 | 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR | Vout；Iin； | |
14 | 光電開關(guān) OPTO-SWITCH | ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF | |
15 | 光電邏輯 OPTO-LOGIC | IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF | |
16 | 金屬氧化物壓變電阻 MOV | ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； | |
17 | 固態(tài)過壓保護(hù)器 SSOVP | ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、 IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- | |
18 | 壓變電阻 VARISTOR | ID+； ID-；VC+ ；VC- | |
19 | 雙向觸發(fā)二極管 DIAC | VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, | |
1.4系統(tǒng)曲線測(cè)試列舉
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
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