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華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

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公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌
型號(hào)HUSTEC-1600A-MT
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2019/11/27 19:04:43
訪問(wèn)次數(shù)664

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IGBT模塊測(cè)試儀 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀檢修用IGBT測(cè)試儀地鐵IGBT測(cè)試儀

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深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

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首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng)，SMT智能首件檢測(cè)儀，首樣檢測(cè)，首板確認(rèn)

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華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的IGBT測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：
可用于IGBT模塊封裝測(cè)試，電動(dòng)車IGBT模塊檢測(cè)，電動(dòng)車電控部分IGBT測(cè)試；
還可以針對(duì)不同封裝提供IGBT模塊測(cè)試夾具；
華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀產(chǎn)品信息

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的IGBT測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：可用于IGBT模塊封裝測(cè)試，電動(dòng)車IGBT模塊檢測(cè)，電動(dòng)車電控部分IGBT測(cè)試；還可以針對(duì)不同封裝提供IGBT模塊測(cè)試夾具；

序號(hào)	測(cè)試項(xiàng)目	描述	測(cè)量范圍	分辨率
1	V_F	二極管正向?qū)▔航?/span>	0-40V	1mV
2	IF	二極管正向?qū)娏?/span>	0-1600A	200A時(shí),0.1A
3	IF	二極管正向?qū)娏?/span>	0-1600A	＞200A時(shí),1A
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0-5000V	1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0-1600A	200A時(shí),0.1A
6	Ic	通態(tài)集電極電流	0-1600A	＞200A時(shí),1A
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0-50mA	1nA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0-40V	1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0-40V	1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0-10uA	1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0-10uA	1nA
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0-40V	1mV

華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF二極管壓降、等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。

可以用在電動(dòng)汽車電控的測(cè)試，

1、測(cè)試關(guān)斷時(shí)CE之間耐壓和漏電流，測(cè)試電壓條件為VGE=0V，VCE=700V。

2、測(cè)試反向二極管導(dǎo)通時(shí)EC之間壓降，測(cè)試條件為VGE=0V，IEC=250A

3、測(cè)試導(dǎo)通時(shí)CE之間壓降，測(cè)試條件為VGE=15V，ICE=500A

華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。

測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：開啟大電流壓降，關(guān)閉小電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。

優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。能夠通過(guò)電腦操作成IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀 測(cè)試實(shí)例

Vce-Ic特征曲線

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀Vgth-Vce特征曲線

測(cè)試界面

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)，充電樁的 IGBT來(lái)料選型和失效分析以及在線檢修.地鐵高鐵大修車間檢修用IGBT測(cè)試儀