品牌 : | 華科智源 | 型號 : | HUSTEC-2015 |
加工定制 : | 是 | 類型 : | 電參數(shù)測試儀 |
測量范圍 : | 電壓2000V，電流1000A | 精確度 : | 正負(fù)1%精度 |
儀表尺寸 : | 800*600*1800 | 適用范圍 : | 在線檢修，來料檢驗，失效分析 |
儀表重量 : | 100kg | 工作電源 : | 220V |
規(guī)格 : | IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀 | 測量精度 : | 正負(fù)%1精度測量 |
功率 : | 300W | 頻率 : | 50Hz |
產(chǎn)品詳情 大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源
Product details
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設(shè)計，產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試，設(shè)備模塊化程度高，測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用。可以根據(jù)就用戶需求進(jìn)行定制。
測試系統(tǒng)以2000A為一個電流模塊,以1500V為一個電壓模塊，電流電壓可升級；
1范圍
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不*時，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。
2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn) 大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，功率半導(dǎo)體模塊測試系統(tǒng)的設(shè)計、制造、檢查、試驗等遵循如下國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，但不限于以下標(biāo)準(zhǔn)。
GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則
GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范
GB/T 15153.1-1998 運動設(shè)備及系統(tǒng)
GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級（IP代碼）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標(biāo)志
GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件
GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗
GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備
GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用
GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則
GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制
GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器
GB/T 311.1 絕緣配合第1部分：定義、原則和規(guī)則
IEC 60747-2/GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管
IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）
3技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標(biāo)
3.1.1 功能與測試對象
*1）功能
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，測試單元具備測試IGBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。具體測試參數(shù)及指標(biāo)詳見表格411。
*2）測試對象
被測器件主要IGBT模塊。
3.1.2 IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求，可自行定義。
以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進(jìn)行。
1）圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義動態(tài)測試參數(shù)
IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。
圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義
圖3 IGBT關(guān)斷過程及其參數(shù)定義
表格2 可測量的IGBT動態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號 | 參數(shù)名稱 | 符號 |
開通延遲時間 | td(on) | 關(guān)斷延遲時間 | td(off) |
上升時間 | tr | 下降時間 | tf |
開通時間 | ton | 關(guān)斷時間 | toff |
開通損耗 | Eon | 關(guān)斷損耗 | Eoff |
柵極電荷 | Qg | 拖尾時間 | tz |
短路電流 | ISC | / | / |
可測量的FRD動態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號 | 參數(shù)名稱 | 符號 |
反向恢復(fù)電流 | IRM | 反向恢復(fù)電荷 | Qrr |
反向恢復(fù)時間 | trr | 反向恢復(fù)損耗 | Erec |
3.1.華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀反偏安全工作區(qū)參數(shù)及指標(biāo)
3.1.4華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀保護(hù)安全功能
本測試單元應(yīng)具備完善的保護(hù)功能，除可有效保護(hù)操作人員不受事故傷害外，還在發(fā)生故障時不會造成設(shè)備自身的較大損壞，通過采取更換小型部件的方式即可修復(fù)。保護(hù)功能包括但不限于如下功能：
l *高壓測試前可選低壓預(yù)測試驗證系統(tǒng)安全及連接良好
l *完備的人身安全防護(hù)
l 測試結(jié)束電容自動放電
l 測試過程中短路保護(hù)（非短路測試）
l *被測器件防爆保護(hù)
3.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀測試單元組成
本測試單元包括動態(tài)參數(shù)測試部分，主要組成材料及其要求如下所示。
3.2.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試部分主要材料清單
表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成
序號 | 組成部分 | 單位 | 數(shù)量 |
1 | 可調(diào)充電電源 | 套 | 1 |
2 | 直流電容器 | 個 | 8 |
3 | 動態(tài)測試負(fù)載電感 | 套 | 1 |
4 | 安全工作區(qū)測試負(fù)載電感 | 套 | 1 |
5 | 補充充電回路限流電感L | 個 | 1 |
6 | 短路保護(hù)放電回路 | 套 | 1 |
7 | 正常放電回路 | 套 | 1 |
8 | 高壓大功率開關(guān) | 個 | 5 |
9 | 尖峰抑制電容 | 個 | 1 |
10 | 主回路正向?qū)ňчl管 | 個 | 2 |
11 | 動態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管 | 個 | 2 |
12 | 安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管 | 個 | 3 |
13 | 被測器件旁路開關(guān) | 個 | 1 |
14 | 工控機及操作系統(tǒng) | 套 | 1 |
15 | 數(shù)據(jù)采集與處理單元 | 套 | 1 |
16 | 機柜及其面板 | 套 | 1 |
17 | 壓接夾具及其配套系統(tǒng) | 套 | 1 |
18 | 加熱裝置 | 套 | 1 |
19 | 其他輔件 | 套 | 1 |
3.3主要技術(shù)要求
3.3.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求
3.3.1.1 環(huán)境條件
1) 海拔高度：海拔不超過1000m；
2) 溫度：儲存環(huán)境溫度 -2060；
3) 工作環(huán)境溫度： -540；
4) 濕度：20RH 至 90RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40以下)；
5) 震動：抗地震能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力0.5g；
6) 防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；
3.3.1.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)，IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設(shè)計，產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試，設(shè)備模塊化程度高，測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用?？梢愿鶕?jù)就用戶需求進(jìn)行定制。華科智源專業(yè)提供動態(tài)參數(shù)測試|IGBT測試儀|雪崩能量測試儀|IPM測試儀|分立器件測試系統(tǒng)。
采購中心
