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詳細介紹
產(chǎn)品特點：
- 30°～80°連續(xù)可變?nèi)肷浣?/li>
- 0.4-46微米入射深度，適合深度剖析，如多層膜、鍍層分析
- 20mm大尺寸晶體，非常適合硅片或金屬基底表面的單層膜、超薄膜分析，相比于鏡面反射，靈敏度可提高1-2數(shù)量級
- 結(jié)合電化學(xué)池用于紅外光譜電化學(xué)研究
- *的光通量，以短的掃描時間提的光譜質(zhì)量，提高檢出限
- 可選ZnSe\Ge\Si\ZnS晶體
- 可作為變角鏡面反射附件使用
- 預(yù)留偏振片位置，可選配手動或自動偏振片
- 可選配自動版，軟件調(diào)節(jié)入射角
- 可加熱晶體盤溫度至130℃
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