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用于半導(dǎo)體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

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產(chǎn)品型號(hào)Thermo Scientific

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地

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更新時(shí)間：2024-08-11 09:21:20瀏覽次數(shù)：147次

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經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：1324條

所在地區(qū)：上海上海市

聯(lián)系人：Tracy （市場(chǎng)）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)提供的功能，除廣泛的其他大面積 FIB 處理應(yīng)用外，還能夠?qū)崿F(xiàn) 10 nm 半導(dǎo)體器件的無(wú)損傷延遲和 3D 封裝的高級(jí)故障分析。

詳細(xì)介紹

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)使您能夠：

  • 使用具有高電流 UC+ 單色器技術(shù)的 Elstar™ SEM 電子鏡筒，可獲得納米級(jí) SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細(xì)致的細(xì)節(jié)信息。
  • 使用新一代 2.5 μA 氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進(jìn)行較高通量和質(zhì)量相關(guān) 3D 表征、橫向切片和微加工。
  • 使用自動(dòng)搖擺研磨機(jī)，可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)率、無(wú)屏障大面積橫向切片制備并獲得高質(zhì)量 TEM 片晶。
  • 實(shí)現(xiàn)的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
  • 通過(guò)可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統(tǒng)，可提供在 FIB-SEM 系統(tǒng)上進(jìn)行電子和離子束誘導(dǎo)的沉積及蝕刻的較高級(jí)功能。
  • 在常規(guī)和低 k 電介質(zhì)中，采用專有的 Dx 和 DE 化學(xué)過(guò)程對(duì)銅金屬化進(jìn)行逆向處理。并通過(guò)基于等離子 FIB 的化學(xué)過(guò)程和配方銑削的包裝材料。

關(guān)鍵詞：研磨機(jī)

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