雪崩能量測(cè)試儀 華科智源

雪崩能量測(cè)試儀 華科智源 主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá)2000J。測(cè)試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)將測(cè)試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進(jìn)行終的編輯和打印。

雪崩能量測(cè)試儀功能指標(biāo)：

配置	測(cè)試范圍	測(cè)試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V～4500V	20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V  1000V~4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA～200A	1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA  2A～200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J～2000J	1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J  500J～2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測(cè)	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、
			重復(fù)間隙時(shí)間	1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次

雪崩能量測(cè)試儀?測(cè)試模式

單脈沖松開(kāi)電感的開(kāi)關(guān)（UIS）

單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）

重復(fù)性雪崩能量（EAR）

重復(fù)脈沖故障（RPF）

 

執(zhí)行的測(cè)試

連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸

DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試

- 前，后的雪崩

功能設(shè)備測(cè)試

雪崩測(cè)試

 

特點(diǎn)

單路/雙路設(shè)備測(cè)試

N溝道，P溝道，混合

全固態(tài)切換 - 無(wú)需繼電器

更快的測(cè)試

電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟

雪崩電壓至2500V

觸摸屏程序進(jìn)入/控制

波形捕獲/顯示

內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)（20個(gè)文件）

高速電感充電，減少了測(cè)試時(shí)間

可編程漏電測(cè)試電壓

前置/后置雪崩泄漏測(cè)試

雪崩折疊測(cè)試

多功能測(cè)試處理器控制

15硬件排序箱

改進(jìn)的電壓/電流精度

通過(guò)Flash下載軟件更新

高速RS-485 PTNet接口

控制參數(shù)輸入密碼

使用所有ITC電感負(fù)載箱

接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF

內(nèi)置自我測(cè)試