詳細(xì)介紹
功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀系統(tǒng)特征:
● 測試范圍廣(19大類,27分類)
● 采用脈沖測試法,脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS
● 真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測試。(主流的直流方法測動(dòng)態(tài)跨導(dǎo),其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大)
● 系統(tǒng)故障在線判斷修復(fù)能力,便于應(yīng)急處理排除故障
功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀基礎(chǔ)配置:
技術(shù)參數(shù) | ENJ2005-B型 |
主極電流 | 100nA-50A |
擴(kuò)展電流 | 100A、500A、1000A、1300A |
電壓分辨率 | 1mV |
電流分辨率 | 1nA(可擴(kuò)展至10pA) |
測試精度 | 0.2%+2LSB |
測試速度 | 0.5mS/參數(shù) |
分立器件測試儀測試參數(shù):
漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、 IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù):BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS、
導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO (Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù):rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù):IL、IL+、IL-
產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。