詳細(xì)介紹
IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀簡(jiǎn)介
該系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)綜合測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試參數(shù)多、精度高、 具有過(guò)流、過(guò)熱、水壓不足等保護(hù)功能。具有連續(xù)工作的特點(diǎn),測(cè)試程序由計(jì)算機(jī)控制,程序設(shè)定完成后可自動(dòng)測(cè)試, 系統(tǒng)采用內(nèi)控和外控兩種方式。便于工作人員操作。
HUSTEC1220 功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)
IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo):
加熱電流 | 直流50-500A 顯示精度0.1 A±3% | |
加熱時(shí)間 | 20-60s,冷卻時(shí)間:20-60s | |
散熱要求 | 1分鐘內(nèi)完成器件加熱到結(jié)溫降溫到40℃的一個(gè)循環(huán) | |
熱敏測(cè)試單元 | 熱敏電流 | 50mA-999mA 分辨率0.1mA 精度±3% |
1A-10A 分辨率0.1A 精度 0.1A±3% | ||
熱敏電壓 | 1V-10V 分辨率 1mV精度±2% | |
熱阻單元 | 功率計(jì)算 | 飽和壓降 0.3-5V 分辨率 0.01V精度±2% 導(dǎo)通電流分辨率0.1 A精度±3% |
溫度采集 | 溫度采集單元分辨率0.1℃精度±0.1℃熱阻測(cè)試器件數(shù)量為1只。Vce/Ic/熱敏電壓/殼溫各采一路 | |
循環(huán)次數(shù) | 1-20000次 | |
按時(shí)間控制 | 顯示每只器件的殼溫,采集殼溫的位置依據(jù)被側(cè)器件的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 | |
按結(jié)溫控制 | 顯示一只器件的結(jié)溫,6只器件殼溫 | |
被測(cè)器件 | 6只(二單元串聯(lián)結(jié)構(gòu))或1只6單元 IGBT橋模塊,IGBT橋模塊按三組循環(huán)加熱、 占空比30%的工作方式進(jìn)行設(shè)計(jì)和試驗(yàn) | |
數(shù)據(jù)顯示 | 計(jì)算機(jī)顯示殼溫、試驗(yàn)電流、試驗(yàn)次數(shù)、記錄結(jié)果,并可轉(zhuǎn)為EXCEL文件 | |
脫機(jī)顯示 | 脫機(jī)狀態(tài),面板顯示6個(gè)工位的殼溫,試驗(yàn)電流/次數(shù)、加熱/冷卻時(shí)間 | |
水路 | 水路的回水采用開(kāi)放式輸出,冷卻水路由甲方提供 | |
電源 | 采用全波整流的直流電源,電流大小通過(guò)調(diào)壓器手動(dòng)調(diào)節(jié)。被測(cè)器件為二單元串聯(lián)結(jié)構(gòu) 時(shí),采用6只器件串聯(lián)試驗(yàn); | |
測(cè)試參數(shù) | 可測(cè)試器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(J-C) | |
散熱 | 設(shè)備采用水冷散熱 |
該系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)綜合測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試參數(shù)多、精度高、 具有過(guò)流、過(guò)熱、水壓不足等保護(hù)功能。具有連續(xù)工作的特點(diǎn),測(cè)試程序由計(jì)算機(jī)控制,程序設(shè)定完成后可自動(dòng)測(cè)試, 系統(tǒng)采用內(nèi)控和外控兩種方式。便于工作人員操作。