大功率IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀-華科智源

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，設(shè)備模塊化程度高，測(cè)試穩(wěn)定性及測(cè)試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用。可以根據(jù)就用戶需求進(jìn)行定制。大功率IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀-華科智源

品牌 :	華科智源	型號(hào) :	HUSTEC-2015
加工定制 :	是	類型 :	電參數(shù)測(cè)試儀
測(cè)量范圍 :	電壓2000V，電流1000A	精確度 :	正負(fù)1%精度
儀表尺寸 :	800*600*1800	適用范圍 :	在線檢修，來(lái)料檢驗(yàn)，失效分析
儀表重量 :	100kg	工作電源 :	220V
規(guī)格 :	IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀	測(cè)量精度 :	正負(fù)%1精度測(cè)量
功率 :	300W	頻率 :	50Hz

產(chǎn)品詳情 大功率IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀-華科智源

Product details

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，設(shè)備模塊化程度高，測(cè)試穩(wěn)定性及測(cè)試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用?？梢愿鶕?jù)就用戶需求進(jìn)行定制。

 

測(cè)試系統(tǒng)以2000A為一個(gè)電流模塊,以1500V為一個(gè)電壓模塊，電流電壓可升級(jí)；

1范圍

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對(duì)所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不*時(shí)，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn) 大功率IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀-華科智源

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，功率半導(dǎo)體模塊測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造、檢查、試驗(yàn)等遵循如下國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，但不限于以下標(biāo)準(zhǔn)。

GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則

GB19517-2004  國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范

GB/T 15153.1-1998 運(yùn)動(dòng)設(shè)備及系統(tǒng)

GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP代碼）（IEC 60529：2001，IDT）

GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件

GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)

GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備

GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用

GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說(shuō)明書總則

GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制

GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器

GB/T 311.1 絕緣配合第1部分：定義、原則和規(guī)則

IEC 60747-2/GB/T 4023-1997      半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管

IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012     半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）

 

 

3技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象

*1）功能

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，測(cè)試單元具備測(cè)試IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。具體測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)詳見表格411。

*2）測(cè)試對(duì)象

被測(cè)器件主要IGBT模塊。

3.1.2  IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求，可自行定義。

以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。

1）圖2 IGBT開通過(guò)程及其參數(shù)定義動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)

IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。

圖2 IGBT開通過(guò)程及其參數(shù)定義

 

圖3 IGBT關(guān)斷過(guò)程及其參數(shù)定義

 

表格2 可測(cè)量的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱	符號(hào)	參數(shù)名稱	符號(hào)
開通延遲時(shí)間	td(on)	關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)
上升時(shí)間	tr	下降時(shí)間	tf
開通時(shí)間	ton	關(guān)斷時(shí)間	toff
開通損耗	Eon	關(guān)斷損耗	Eoff
柵極電荷	Qg	拖尾時(shí)間	tz
短路電流	ISC	/	/

可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱	符號(hào)	參數(shù)名稱	符號(hào)
反向恢復(fù)電流	IRM	反向恢復(fù)電荷	Qrr
反向恢復(fù)時(shí)間	trr	反向恢復(fù)損耗	Erec

 3.1.華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀反偏安全工作區(qū)參數(shù)及指標(biāo)

3.1.4華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀保護(hù)安全功能

本測(cè)試單元應(yīng)具備完善的保護(hù)功能，除可有效保護(hù)操作人員不受事故傷害外，還在發(fā)生故障時(shí)不會(huì)造成設(shè)備自身的較大損壞，通過(guò)采取更換小型部件的方式即可修復(fù)。保護(hù)功能包括但不限于如下功能：

l *高壓測(cè)試前可選低壓預(yù)測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng)安全及連接良好

l *完備的人身安全防護(hù)

l 測(cè)試結(jié)束電容自動(dòng)放電

l 測(cè)試過(guò)程中短路保護(hù)（非短路測(cè)試）

l *被測(cè)器件防爆保護(hù)

 

3.2華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試單元組成

本測(cè)試單元包括動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分，主要組成材料及其要求如下所示。

3.2.1 華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料清單

表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成

序號(hào)	組成部分	單位	數(shù)量
1	可調(diào)充電電源	套	1
2	直流電容器	個(gè)	8
3	動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感	套	1
4	安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感	套	1
5	補(bǔ)充充電回路限流電感L	個(gè)	1
6	短路保護(hù)放電回路	套	1
7	正常放電回路	套	1
8	高壓大功率開關(guān)	個(gè)	5
9	尖峰抑制電容	個(gè)	1
10	主回路正向?qū)ňчl管	個(gè)	2
11	動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管	個(gè)	2
12	安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管	個(gè)	3
13	被測(cè)器件旁路開關(guān)	個(gè)	1
14	工控機(jī)及操作系統(tǒng)	套	1
15	數(shù)據(jù)采集與處理單元	套	1
16	機(jī)柜及其面板	套	1
17	壓接夾具及其配套系統(tǒng)	套	1
18	加熱裝置	套	1
19	其他輔件	套	1

 

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1) 海拔高度：海拔不超過(guò)1000m；

2) 溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度 -2060；

3) 工作環(huán)境溫度： -540；

4) 濕度：20RH 至 90RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40以下)；

5) 震動(dòng)：抗地震能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力0.5g；

6) 防護(hù)：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

3.3.1.2華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，設(shè)備模塊化程度高，測(cè)試穩(wěn)定性及測(cè)試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用。可以根據(jù)就用戶需求進(jìn)行定制。華科智源專業(yè)提供動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試|IGBT測(cè)試儀|雪崩能量測(cè)試儀|IPM測(cè)試儀|分立器件測(cè)試系統(tǒng)。