TESCAN MAIA3 LM超高分辨場發(fā)射掃描電鏡

TESCAN MAIA3 LM超高分辨場發(fā)射掃描電鏡

MAIA3 model 2016

為超高分辨新開發(fā)的電子光學系統(tǒng)

MAIA3 model 2016產(chǎn)品是一款具有超高表面靈敏度的高分辨掃描電子顯微鏡，在不同加速電壓下均有著出色的成像能力。MAIA3 model 2016在低電壓下也有*的性能，尤其對電子束敏感的半導體器件樣品以及納米材料等都具有優(yōu)異的表面靈敏度及高空間分辨率。全新的MAIA3也非常適合研究不導電試樣如原始狀態(tài)的生物樣品。

TESCAN MAIA3 LM超高分辨場發(fā)射掃描電鏡主要特點：

TriglavTM——新開發(fā)的超高分辨電子光學鏡筒并配備TriLensTM物鏡及*的探測系統(tǒng)

超高分辨率物鏡（60度浸沒式物鏡），全新的用于高分辨率分析工作的無漏磁分析物鏡，重新設(shè)計用于超大視場觀察的中間鏡。

*的電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合，獲得了的成像性能

傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路設(shè)計提供各種工作和顯示模式

全新的EquiPower™技術(shù)進一步提高電子束的穩(wěn)定性

新的肖特基場發(fā)射電子槍能使電子束流高達400nA并能實現(xiàn)電子束能量的快速改變

通過擴展樣品室和支架能達到12”晶圓的SEM觀察

TriBETM技術(shù)具有三個BSE探測器，可以選擇不同角度的信號進行采集。位于鏡筒內(nèi)部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測器，用于檢測中等角度及軸向的高角背散射電子，而樣品室的BSE探測器用于探測大角度范圍的背散射電子。并且這三個探測器能探測到低于200eV的低能背散射信號，綜合在一起，他們可以提供各種不同襯度的圖像

TriSETM技術(shù)具有三個SE探測器，對所有工作模式下采集二次電子信號都進行了優(yōu)化。位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam SE探測器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測器能提供的形貌襯度

電子束減速技術(shù)(BDT)能在低至50eV的低電壓下，也仍具有出色的分辨率（選配）

電子束實時追蹤技術(shù)可對電子束實現(xiàn)實時優(yōu)化

擴展的低真空模式樣品室氣壓能達到500Pa，可用于不導電樣品的成像

超高分辨率 0.7@15keV，1.0nm@1keV

浸沒式物鏡系統(tǒng)和無交叉電子束模式結(jié)合在一起，可在低能量下實現(xiàn)超高分辨成像。浸沒式物鏡能在樣品周圍產(chǎn)生強磁場，顯著降低了像差。而無交叉電子束模式則降低了Boersch效應，對電子束進行進一步的優(yōu)化，終達到1.0nm @1keV的超高分辨率。