ZEISS GeminiSEM 500場發(fā)射掃描電子顯微鏡

ZEISS GeminiSEM 500場發(fā)射掃描電子顯微鏡
GeminiSEM 系列產(chǎn)品

高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡

為對任意樣品進(jìn)行高水準(zhǔn)的成像和分析而生
蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率，能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時(shí)都具備更佳的靈活性，為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像，提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息，其創(chuàng)新設(shè)計(jì)的NanoVP可變壓力模式，甚至讓您在使用時(shí)擁有在高真空模式下工作的感覺；

更強(qiáng)的信號，更豐富的細(xì)節(jié)

GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息，尤其在低的加速電壓下，在避免樣品損傷的同時(shí)快速地獲取更高清晰度的圖像。

• 經(jīng)優(yōu)化和增強(qiáng)的Inlens探測器可高效地采集信號，助您快速地獲取清晰的圖像，并使樣品損傷降至更低；

• 在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度，二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm，500 V達(dá)1.0 nm，無需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像，為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息；

• 應(yīng)用樣品臺減速技術(shù)-（Tandem decel），可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率；

• 創(chuàng)新設(shè)計(jì)的可變壓力模式-NanoVP技術(shù)，讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。

如今，掃描電子顯微鏡（SEM）在低電壓下的高分辨成像能力，已成為其在各項(xiàng)應(yīng)用領(lǐng)域中的標(biāo)準(zhǔn)配置。

低電壓下的高分辨率成像能力，在以下應(yīng)用領(lǐng)域中扮演著尤為重要的角色：

• • 電子束敏感樣品

  • 不導(dǎo)電樣品

  • 獲取樣品極表面的真實(shí)形貌信息

Gemini的革新電子光學(xué)設(shè)計(jì)，應(yīng)用高分辨率電子、Nano-twin lens物鏡(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel樣品臺減速技術(shù)（選配），有效提高了在低電壓時(shí)的信號采集效率和圖像襯度。

• 高分辨率電子式：

  • 縮小30%的出射電子束能量展寬，有效地降低像差；

  • 獲得更小的束斑。

• Nano-twin lens物鏡：

             優(yōu)化靜電場和磁場的復(fù)合功效，在低電壓下具有的更高的分辨率；

             提高鏡筒內(nèi)Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。

• Tandem decel樣品臺減速技術(shù)，進(jìn)一步提高對適用樣品在低電壓甚*低電壓下的分辨率：

  • Tandem decel減速技術(shù)將鏡筒內(nèi)減速和樣品臺偏壓減速技術(shù)相結(jié)合，有效地實(shí)現(xiàn)低著陸電壓；

  • 使用1 kV及以下更低電壓時(shí)，鏡筒內(nèi)背散射探測器的檢測效率獲得更好地增強(qiáng)，低電壓下的分辨率得到進(jìn)一步提高。

  • 對適用的樣品可以加載高達(dá)-5 kV的樣品臺偏壓，在低電壓下獲得更高質(zhì)量的圖片

  • 優(yōu)化靜電場和磁場的復(fù)合功效，在低電壓下具有的更高的分辨率；

  • 提高鏡筒內(nèi)Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。

ZEISS GeminiSEM 500場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)參數(shù)：