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詳細(xì)介紹
特點及用途：
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。
配有前端預(yù)加熱爐，輔助固態(tài)源蒸發(fā)，后端為單溫區(qū)加熱爐 ，溫度控制精確，操作簡便，對于氣相沉積，二維材料，等離子處理生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。
2.使用滑軌爐實現(xiàn)快速升溫和降溫。
3.設(shè)備*的*技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長
1.加熱系統(tǒng)
*溫度 | 1200℃ |
使用溫度 | ≤1100℃ |
爐膛有效尺寸 | Φ50mm（爐管直徑可根據(jù)實際需要定制） |
爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
熱電偶類型 | K型熱電偶 |
控溫精度 | ±1℃ |
控溫方式 | 30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定 |
加熱長度 | 200+200mm |
恒溫長度 | 100+100mm |
加熱原件 | 電阻絲 |
供電電源 | 單相，220V，50Hz |
2、預(yù)熱系統(tǒng)系統(tǒng)
*溫度 | 400℃ |
爐膛有效尺寸 | Φ50mm（爐管直徑可根據(jù)實際需要定制） |
爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
熱電偶類型 | K型熱電偶 |
控溫精度 | ±1℃ |
控溫方式 | 30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定 |
加熱長度 | 100mm |
加熱原件 | 電阻絲 |
額定功率 | 800W |
3、PE系統(tǒng)
功率輸出范圍 | 0W~500W |
*反射功率 | 100W |
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female |
功率穩(wěn)定度 | ≤5W |
諧波分量 | ≤-50dbc |
供電電壓 | 單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
整機效率 | >=70% |
功率因素 | >=90% |
冷卻方式 | 強制風(fēng)冷 |
4、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)
連接頭類型 | 雙卡套不銹鋼接頭 |
標(biāo)準(zhǔn)量程（N2) | 50sccm，100sccm、500sccm （可根據(jù)用戶要求定制） |
準(zhǔn)確度 | ±1.5%F.S |
線性 | ±1%F.S |
重復(fù)精度 | ±0.2%F.S |
響應(yīng)時間 | 氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
工作壓差范圍 | 0.1～0.5 MPa |
*壓力 | 3MPa |
接口 | Φ6,1/4'' |
顯示 | 4位數(shù)字顯示 |
工作環(huán)境溫度 | 5~45高純氣體 |
壓力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
截止閥 | Φ6 |
內(nèi)外雙拋不銹鋼管 | Φ6 |
5、低真空機組
空氣相對濕度 | ≤85% |
工作環(huán)境 | 5℃～40℃ |
工作電電壓 | 280V |
抽氣速率 | 32m³/h |
極限真空 | 5X10-1Pa（空載冷態(tài)） |
工作壓力范圍 | 1.01325X105～1.33X10-2Pa |
耐壓值 | 0.03MPa |
進氣口口徑 | KF40 |
排氣口口徑 | KF40 |
連接方式 | 采用波紋管，手動擋板閥與波紋管相連 |
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