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高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)

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參考價: ￥ 20000

訂貨量: ≥1 臺

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產(chǎn)品型號BCD-310

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更新時間：2024-08-29 15:02:43瀏覽次數(shù)：165次

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北京百川宏宇交通設(shè)施有限公司

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地	國產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新

高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導(dǎo)率單位自動選擇，BCD-310 材料電導(dǎo)率測試儀自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。

詳細介紹

高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)

導(dǎo)體材料電阻率測試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。但凡注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本適用于本標準。GB/T 1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法樣品臺和操針架樣品臺和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定。樣品臺上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，范圍本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量準確度尚未評估。使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內(nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

概述：采用四端測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，實驗室；是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具?？膳渲貌煌瑴y量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補償功能，自動量程，自動測量電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標準電阻校準儀器，薄膜按鍵操作簡單，中文或英文兩種語言界面選擇，電位差計和電流計或數(shù)字電壓表，量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… …