當(dāng)前位置：深圳市華科智源科技有限公司>>靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀>>半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

返回列表頁(yè)

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-1600A-MT

品牌其他品牌

廠(chǎng)商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商

所在地深圳市

在線(xiàn)詢(xún)價(jià) 收藏產(chǎn)品

聯(lián)系方式：陳查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2024-05-21 17:13:53瀏覽次數(shù)：95次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自制藥網(wǎng)

產(chǎn)品分類(lèi) 品牌分類(lèi)

  其他品牌

深圳市華科智源科技有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：經(jīng)銷(xiāo)商

商鋪產(chǎn)品：28條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：陳（經(jīng)理）

詢(xún)價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新
設(shè)備尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）mm	質(zhì)量	30kg
海拔高度	海拔不超過(guò) 1000m	儲(chǔ)存環(huán)境	-20℃～50℃
工作環(huán)境	15℃～40℃	相對(duì)濕度	20%RH ~ 85%RH
大氣壓力	86Kpa～ 106Kpa	防護(hù)	無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
用電要求	AC220V，±10%	電網(wǎng)頻率	50Hz±1Hz

華科智源功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，測(cè)試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn)，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試，軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。

詳細(xì)介紹

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

一：功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線(xiàn)檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線(xiàn)IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

測(cè)試參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢(xún)功能，可生成測(cè)試曲線(xiàn)，方便操作使用。

二：應(yīng)用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車(chē)，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線(xiàn)故障檢測(cè)

三、特征：

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測(cè)量精度2mV

E：Vce測(cè)量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測(cè)量器件

H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測(cè)試曲線(xiàn)（IV曲線(xiàn)直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進(jìn)行不同曲線(xiàn)的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線(xiàn)狀態(tài)，或者不同廠(chǎng)家同一規(guī)格參數(shù)的曲線(xiàn)對(duì)比；

序號(hào)	測(cè)試項(xiàng)目	描述	測(cè)量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向?qū)▔航?/p>	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	≤200A時(shí),0.1A	≤200A時(shí),±1%±0.1A
3	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	＞200A時(shí),1A	＞200A時(shí),±1%
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	≤200A時(shí),0.1A	≤200A時(shí),±1%±0.1A
6	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	＞200A時(shí),1A	＞200A時(shí),±1%
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV