詳細(xì)介紹
1.的電子制冷模塊和膜脫水技術(shù),優(yōu)良的脫水技術(shù)確保整個(gè)系統(tǒng)的脫水效率,此項(xiàng)技術(shù)已獲得國(guó)家! 2.測(cè)定速度快——測(cè)定TIC小于1.5分鐘;測(cè)定TC小于2.5分鐘; 3.加熱的IC無(wú)機(jī)碳反應(yīng)池消除了樣品峰的拖尾,此項(xiàng)技術(shù)已獲得國(guó)家! 4. 使用全反射紫外強(qiáng)氧化反應(yīng)池,具有優(yōu)良的系統(tǒng)適應(yīng)性,無(wú)需加入其它氧化試劑,就可以使樣品轉(zhuǎn)化,避免了測(cè)定過(guò)程中加入氧化試劑造成的空白干擾,此項(xiàng)技術(shù)已獲得國(guó)家發(fā)明! 技術(shù)參數(shù): 測(cè)定方法 紫外濕法氧化-非色散紅外檢測(cè)法 檢測(cè)器 NDIR TOC測(cè)量范圍 0-1000mg/kg TOC測(cè)定重復(fù)性 ≤1.5% 脫水 電子制冷模塊脫水和膜脫水裝置 催化劑 無(wú)需催化劑 氣體要求 氬氣/氮?dú)猓骸?9.995% 進(jìn)樣量 液體:1—10ml 電源要求 220VAC±10V,50Hz±0.5 Hz,500W