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橢偏儀 FE-5000/5000S

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  納米粒度儀

  其他品牌

大塚電子（蘇州）有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：39條

所在地區(qū)：江蘇蘇州市

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品信息特點(diǎn) 可在紫外和可見（250至800nm）波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù) 可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度可以通過超過400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜通過可變反射角測(cè)量，可詳細(xì)分析...

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品信息

特點(diǎn)

●可在紫外和可見（250至800nm）波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù)
●可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度
●可以通過超過400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜
●通過可變反射角測(cè)量，可詳細(xì)分析薄膜
●通過創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊(cè)功能，增強(qiáng)操作便利性
●通過層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測(cè)量可控制膜厚度/膜質(zhì)量

測(cè)量項(xiàng)目

測(cè)量橢圓參數(shù)（TANψ，COSΔ）
光學(xué)常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析
薄膜厚度分析

用途

半導(dǎo)體晶圓
柵氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光學(xué)常數(shù)（波長(zhǎng)色散）
復(fù)合半導(dǎo)體
AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅
FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等
各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜
光學(xué)薄膜
TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
光刻領(lǐng)域
g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長(zhǎng)的n、k評(píng)估

原理

包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對(duì)于反射光的橢圓偏振光進(jìn)行測(cè)量。s波和p波的位相和振幅獨(dú)立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
光譜橢偏儀原理

產(chǎn)品規(guī)格

型號(hào)	FE-5000S	FE-5000
測(cè)量樣品	反射測(cè)量樣品
樣品尺寸	100x100毫米	200x200毫米
測(cè)量方法	旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1
測(cè)量膜厚范圍（ND）	0.1納米-
入射（反射）的角度范圍	45至90°	45至90°
入射（反射）的角度驅(qū)動(dòng)方式	自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)方法
入射點(diǎn)直徑*2	關(guān)于φ2.0	關(guān)于φ1.2sup*3
tanψ測(cè)量精度	±0.01以下
cosΔ測(cè)量精度	±0.01以下
薄膜厚度的可重復(fù)性	0.01％以下*4
測(cè)定波長(zhǎng)范圍*5	300至800納米	250至800納米
光譜檢測(cè)器	多色儀（PDA，CCD）
測(cè)量用光源	高穩(wěn)定性氙燈*6
平臺(tái)驅(qū)動(dòng)方式	手動(dòng)	手動(dòng)/自動(dòng)
裝載機(jī)兼容	不可	可
尺寸，重量	650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤	1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7
軟件
分析	最小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等）理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時(shí)分析）

*1可以驅(qū)動(dòng)偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對(duì)應(yīng)微小點(diǎn)（可選）
*4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜（100nm）時(shí)的值。
*5可以在此波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
*6光源因測(cè)量波長(zhǎng)而異。
*7選擇自動(dòng)平臺(tái)時(shí)的值。

測(cè)量示例

以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]

作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時(shí)，氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化，但是這種變化相對(duì)于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
以下介紹對(duì)于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測(cè)量斜率。

考慮到表面粗糙度測(cè)量膜厚度值[FE-0008]

當(dāng)樣品表面存在粗糙度（Roughness）時(shí)，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層"，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測(cè)量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

使用非干涉層模型測(cè)量封裝的有機(jī)EL材料[FE-0011]

有機(jī)EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會(huì)發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測(cè)量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

使用多點(diǎn)相同分析測(cè)量未知的超薄nk[FE-0014]

為了通過擬合最小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d。在這種情況下，測(cè)量不同d的多個(gè)樣本，假設(shè)nk是相同的，并進(jìn)行同時(shí)分析（多點(diǎn)相同分析），則可以高精度、精確地求出nk和d。