產(chǎn)品簡(jiǎn)介
GeminiSEM 500融合了 Gemini 1電子光學(xué)鏡筒的創(chuàng)新設(shè)計(jì) ，從而全面提升了成像分辨率 ，尤其是在低電壓下 。
GeminiSEM 450配備 Gemini 2 雙聚光鏡電子光學(xué)鏡筒 ，靈活且易于使用 ，在成像與分析方面性能優(yōu)異 、 穩(wěn)定可靠 。
GeminiSEM 300能夠?qū)γ舾斜砻娉上?，具有更高的襯度 、出色的分辨率和超大成像視野 ，即使是初學(xué)者也能很快掌握。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
更簡(jiǎn)單、更智能、更高度集成
低電壓下信號(hào)更強(qiáng) ，細(xì)節(jié)更豐富
分析時(shí)具有更高的表面靈敏度
更靈活的樣品成像
洞察產(chǎn)品背后的科技
充分發(fā)揮 Gemini 電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)
全套探測(cè)系統(tǒng) ：根據(jù)出射能量和出射角區(qū)分離開樣品的電子
更豐富的細(xì)節(jié)信息 、更具靈活性
更豐富的細(xì)節(jié)信息 、更強(qiáng)的信號(hào)
充分發(fā)揮 Gemini 2 光學(xué)系統(tǒng)的性能
產(chǎn)品參數(shù)
| 已選的探測(cè)器和附件 | 探測(cè)器和附件的性能優(yōu)勢(shì) | GeminiSEM 500 | GeminiSEM 450 | GeminiSEM 300 |
| Inlens SE 探測(cè)器（鏡筒內(nèi)二次電子） | 超高分辨率表面信息 | ?● | ?● | ?● |
| Inlens BSE 探測(cè)器（鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測(cè)器） | 成分襯度 | ?○ | ?○ | ?○ |
| 樣品室二次電子探測(cè)器 | 表面形貌信息 | ?● | ?● | ?● |
| VPSE 探測(cè)器 | 在可變壓力模式下進(jìn)行高效成像 | ?●* | ?●* | ●* |
| AsB4 探測(cè)器（角度選擇背散射） | 組份和晶體襯度，三維表面建模 | – | ?○ | ?○ |
| aBSD 探測(cè)器 | 多達(dá) 4 通道同時(shí)成像的6象限背散射電子探測(cè)器，可用于組份和晶體取向分析及三維表面建模 | ?○ | ?○ | ?○ |
| aSTEM 探測(cè)器（環(huán)形 STEM） | 7象限透射電子探測(cè)器，可用于高分辨率透射成像○? | ?○ | ?○ | ?○ |
| EDS 探測(cè)器（能譜儀） | 元素分析 | ?○ | ?○ | ?○ |
| EBSD 探測(cè)器（背散射電子衍射） | 檢測(cè)晶體取向 | ?○ | ?○ | ?○ |
| CL 探測(cè)器 | 使用陰極熒光進(jìn)行材料表征 | ?○ | ?○ | ?○ |
| WDS 探測(cè)器（波譜儀） | 高能量分辨率元素分析 | ?○ | ?○ | ?○ |
| 3DSM（三維表面建模） | 實(shí)時(shí)三維表面建模模塊 | ?○ | ?○ | ?○ |
| 80 mm 樣品交換室 | 在 45 秒內(nèi)完成樣品轉(zhuǎn)移 | ?○ | ?○ | ?○ |
| 等離子清洗儀 | 柔和地去除樣品污染 | ?○ | ?○ | ?○ |
| NanoVP | 高達(dá)500Pa的可變壓力真空，用以減少非導(dǎo)電樣品的表面荷電現(xiàn)象 | ?○ | ?○ | ?○ |
| 局部電荷中和器 | 局部氣體注入，用以減少非導(dǎo)電樣品的表面荷電現(xiàn)象 | ?○ | ?○ | ?○ |
| 局部電荷中和器與原位氧氣清洗 | 樣品表面的原位清洗，用以減少非導(dǎo)電樣品的表面荷電現(xiàn)象 | ?○ | ?○ | ?○ |
| 樣品臺(tái)減速技術(shù)（Tandem decel） | 高達(dá)5kV的樣品臺(tái)減速偏壓，用以在低著陸能量下提供高分辨率和高襯度 | ?○ | ?○ | ?○ |
| ●包含在內(nèi) ?○ 可選配 *包含在 NanoVP 選件中 | ||||
技術(shù)參數(shù)
| 基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 450 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
| 分辨率* | 0. 4 nm @ 30 kV（ STEM） | 0. 6 nm @ 30 kV（ STEM） | 0. 6 nm @ 30 kV（STEM） |
| 0. 5 nm @ 15 kV | 0. 7 nm @ 15 kV | 0. 7 nm @ 15 kV | |
| 0. 9 nm @ 1 kV | 1. 1 nm @ 1 kV / 500 V | 1. 2 nm @ 1 kV | |
| 0. 8 nm @ 1 kV TD | 1. 0 nm @ 1 kV / 500 V TD | 1. 1 nm @ 1kV TD | |
| 1. 0 nm @ 500 V | 1. 5 nm @ 200 V | - | |
| 分析分辨率 | – | 2.0nm@15kV，5nA，工作距離8.5mm | - |
| 背散射電子分辨率（ Inlens BSE） | 1. 0 nm @ 1 kV | 1. 2 nm @ 1 kV | 1. 2 nm @ 1 kV |
| 可變壓力模式（30Pa）下的分辨率 | 1. 4 nm @ 3 kV | 1. 4 nm @ 3 kV | 1. 4 nm @ 3 kV |
| 1. 0 nm @ 15 kV | 1. 0 nm @ 15 kV | ||
| 加速電壓 | 0. 02– 30 kV | 0. 02– 30 kV | 0. 02– 30 kV |
| 探針電流 | 3 pA– 20 nA（100 nA 配置可選） | 3 pA– 40 nA（100 nA 或 300 nA 配置可選） | 3 pA– 20 nA（100 nA 配置可選） |
| 放大倍率 | 50– 2, 000, 000 | 12– 2, 000, 000 | 12– 2, 000, 000 |
| 電子槍 | 熱場(chǎng)發(fā)射型，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | ||
| 基本配置中提供的探測(cè)器 | Inlens 二次電子探測(cè)器 | ||
| Everhart Thornley 二次電子探測(cè)器 | |||
| 高效 VPSE 探測(cè)器（包含在可變壓力選件中） | |||
| 選配探測(cè)器 | – | 角度選擇背散射探測(cè)器（ AsB4） | |
| 環(huán)形 STEM 探測(cè)器（ aSTEM4） | |||
| 存儲(chǔ)分辨率 | 達(dá) 32k × 24k 像素 | ||
| 樣品臺(tái) | 5 軸電動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái) | ||
| X = 130 mm；Y = 130 mm | |||
| Z = 50 mm | |||
| T = – 4o – 70o | |||
| R = 360o（連續(xù)） | |||
| 按需還可提供更多的樣品臺(tái)選件 | |||
最終安裝完成后，在1kV和15kV高真空條件下進(jìn)行系統(tǒng)驗(yàn)收測(cè)試時(shí)獲得的分辨率。
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