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KRI 霍爾離子源 eH 2000 伯東代理

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公司名稱伯東企業(yè)（上海）有限公司
品牌其他品牌
型號
所在地上海市
廠商性質經(jīng)銷商
更新時間2021/12/28 15:01:43
訪問次數(shù)269

產(chǎn)品標簽:

離子源射頻離子源中和器自動控制器離子束

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公司介紹主營產(chǎn)品

　伯東企業(yè)(上海)有限公司專業(yè)代理各國真空產(chǎn)品位于中國上海浦東外高橋保稅區(qū)的伯東企業(yè)(上海)有限公司創(chuàng)建于1995年12月，是日本伯東株式會社獨資設立的外商投資企業(yè)，公司注冊資金為200萬美元，到目前為止公司從業(yè)員工有400多人。

　　伯東企業(yè)(上海)有限公司 ()專業(yè)銷售及維修德國Pfeiffer單雙級旋片泵，干泵，羅茨泵，分子泵；應用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規(guī)管)；檢漏儀，質譜儀，真空系統(tǒng)等等, 維修技術力量雄厚，保證 100 % 擁有標準的德國Pfeiffer原廠測試設備及調(diào)整工具和德國Pfeiffer專業(yè)培訓工程師，多年來致力于真空系統(tǒng)的安裝、調(diào)試、維修、拆機、保養(yǎng)等，具有優(yōu)良的專業(yè)技能和服務意識，并獲得原廠*維修資質證書。利用 Pfeiffer 進口檢測設備對維修后的產(chǎn)品做*性能測試。另外公司還代理美國Brooks CTI Cryopump 冷凝泵/低溫泵, Polycold 冷凍機和美國KRI 離子源，HVA 高真空閥門。

　　公司一直堅持品質*、信譽*的原則，為廣大客戶提供了高品質的產(chǎn)品以及良好的售后服務。到目前為止已先后通過了美國UL安全認證、ISO9001-2000質量體系認證、ISO14001-1996環(huán)境體系認證。公司將在今后的發(fā)展中秉承以人為本，不斷開拓進取的精神，為滿足客戶的需求努力向專業(yè)化、優(yōu)質化、集團化發(fā)展。

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氦質譜檢漏儀,分子泵,原子力顯微鏡,高低溫測試機,離子源,真空閥門

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上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

KRI 霍爾離子源 eH 2000 伯東代理產(chǎn)品信息

KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 高效的等離子轉換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數(shù)

型號	eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結構	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	16-45”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
•  離子輔助鍍膜 IAD
•  預清洗 Load lock preclean
•  預清洗 In-situ preclean
•  Direct Deposition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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