化學(xué)氣相沉積 CVD

MPCVD-50簡(jiǎn)介

化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于多種用途，例如，在粉末材料上進(jìn)行碳涂層，用氨氣摻雜氮?dú)猓铣蓪訝钗镔|(zhì)（例如2DMoS2f膜），合成納米碳材料（例如CNT和石墨烯）。

特征

• 配備液體燃料（乙醇）的導(dǎo)入單元，以適應(yīng)無(wú)法設(shè)置氫氣的情況
• 配備3-line質(zhì)量流量氣體控制器
• 配備真空系統(tǒng)，可用于真空工藝
• 緊湊而穩(wěn)定，可以放在桌子上
• 擴(kuò)展性好，適用于各種CVD工藝

MPCVD-Powder簡(jiǎn)介

化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于在粉末Si材料（通常用作鋰電池的負(fù)極）上覆蓋碳膜。通過(guò)在化學(xué)氣相沉積CVD過(guò)程中旋轉(zhuǎn)反應(yīng)石英管，可以攪拌粉末樣品，從而可以均勻沉積碳膜。

特征

• 石英管可以通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)裝置旋轉(zhuǎn)
• 旋轉(zhuǎn)速度可以在不同的水平上進(jìn)行調(diào)節(jié)
• 均勻的碳膜可以沉積在粉末硅或陶瓷材料上
• 其他功能將類似于MPCVD-50

MPCVD-Slide 簡(jiǎn)介

化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)設(shè)計(jì)為通過(guò)配備滑動(dòng)爐和長(zhǎng)反應(yīng)石英管來(lái)實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。預(yù)先在長(zhǎng)反應(yīng)管中放置大量樣品，然后爐子沿電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的石英管連續(xù)割草，以使所有樣品在相同的化學(xué)氣相沉積CVD條件下連續(xù)受到CVD的作用。

特征

• 在不依賴于上游流或下游流的情況下，實(shí)現(xiàn)均勻的涂層
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)的滑動(dòng)控制單元和滑動(dòng)速度可調(diào)
• 易于收集處理過(guò)的樣品而不會(huì)丟失

MPCVD-Graphene 簡(jiǎn)介

一種爐式熱化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)，配備基于快速將爐滑出熱區(qū)的快速加熱/冷卻機(jī)制，旨在讓用戶在基底（Ni或Cu箔）以及CNTforests或CNT上生長(zhǎng)石墨烯膜粉末。

特征

• 配有爐子滑動(dòng)機(jī)構(gòu)，可快速加熱/冷卻樣品
• 配備一個(gè)特殊的熱電偶傳感器，可直接監(jiān)控樣品溫度
• 配備三個(gè)流量氣體控制器
• 緊湊的尺寸，穩(wěn)定的底盤
• 也可以合成其他碳納米材料（碳納米管，碳微線圈）

MPCVD-Plasma簡(jiǎn)介

在上游裝有RF線圈的熱化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)，可有效地使輸入氣體或前體離子化，并有助于有效的化學(xué)氣相沉積CVD反應(yīng)。

MPCVD-Laser 簡(jiǎn)介

原始樣品室充滿了特殊的氣體（N2，C2H2或H2或NH3等），被應(yīng)用于商用光纖激光雕刻機(jī)，以按照您設(shè)計(jì)的圖案進(jìn)行特殊的表面處理。

• 當(dāng)C2H2填充到腔室中時(shí)，碳膜可以沉積在基板上。
• 當(dāng)將NH 3填充到腔室內(nèi)時(shí)，將形成氮化膜。
• 當(dāng)H2填充到腔室中時(shí)，氧化物可以在表面還原。
• 當(dāng)N2填充到腔室中時(shí)，可以在激光處理過(guò)程中避免氧化。

　樣品室的窗口對(duì)光纖激光束是透明的。

MPCVD-ZnO 簡(jiǎn)介

爐型熱化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)，用于在基板上形成ZnO納米棒。

特征

• 工藝條件和系統(tǒng)設(shè)計(jì)基于*的增長(zhǎng)機(jī)制
• 垂直排列的ZnO納米棒可以在藍(lán)寶石或Si襯底上生長(zhǎng)
• 結(jié)構(gòu)緊湊